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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HCPL-J454-400E Broadcom Limited HCPL-J454-400E 1.2966
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-J454 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.59V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 60% @ 16ma 500ns, 800ns -
PS2561DL2-1Y-V-H-A CEL PS2561DL2-1Y-VHA -
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2561DL21YVHA 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
EL1010(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1010 (TB) -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1010 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 4µs, 3µs 300MV
SFH618A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-3X001 1.0800
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH618 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
EL814-V Everlight Electronics Co Ltd EL814-V -
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL814 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 7µs, 11µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0.6163
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT5211 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.25V 50 MA 4170vrms 150% @ 1.6ma - 14µs, 2.5µs 400MV
PC847X7JJ00F Sharp Microelectronics PC847X7JJ00F -
RFQ
 ECAD 5298 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 4 트랜지스터 16-DIP - 1 (무제한) 425-2713 귀 99 8541.49.8000 500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
HCPL-814-300E Broadcom Limited HCPL-814-300E 0.6600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HCPL-814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
TLP160G(IFT7,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (IFT7, U, F) -
RFQ
 ECAD 4588 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160G - 1 (무제한) 264-TLP160G (IFT7UF) TR 귀 99 8541.49.8000 3,000
HCPL0453R2 Fairchild Semiconductor HCPL0453R2 1.1900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.49.8000 253
PS2561DL-1Y-F3-L-A CEL PS2561DL-1Y-F3-LA -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
HCPL-061N-560E Broadcom Limited HCPL-061N-560E 1.7689
RFQ
 ECAD 5256 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-061 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
VO4156D-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4156D-X007T 3.0700
RFQ
 ECAD 921 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 VO4156 CUR, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 300 MA 500µA 예 5kV/µs 1.6MA -
H11L3SVM onsemi H11L3SVM -
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11L DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
HCPL-2531#320 Broadcom Limited HCPL-2531#320 2.1011
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2531 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GL-TL, e 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
LH1262CACTR Vishay Semiconductor Opto Division LH1262CACTR 4.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 LH1262 DC 2 태양 태양 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1µA - 15V 1.26V 50 MA 5300VRMS - - 35µs, 90µs -
5962-88769022A Broadcom Limited 5962-88769022A 222.0300
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-Clcc 5962-8876902 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 5MBD 45ns, 10ns 1.3V 8ma 1500VDC 2/0 1kv/µs 350ns, 350ns
LDA101S IXYS Integrated Circuits Division LDA101S -
RFQ
 ECAD 6855 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 LDA101 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.2V 1 MA 3750vrms 33% @ 1ma - 7µs, 20µs 500MV
HCNW2601#300 Broadcom Limited HCNW2601#300 2.5241
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCNW2601 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.64V 20MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 100ns, 100ns
FODM217CR2 onsemi FODM217CR2 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 FODM217 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP182(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (TPL, e 0.5200
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP182 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
FOD617DW onsemi FOD617DW -
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
VOMA617A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division voma617a-3x001t 2.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay to Opto Division voma617a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 voma617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.3µs, 3.2µs 80V 1.33V 20 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 4.9µs, 3.3µs 400MV
4N35-X009 Vishay Semiconductor Opto Division 4N35-X009 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N35 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 10µs, 10µs -
FODM217CR2V onsemi FODM217CR2V 0.3099
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 온세미 FODM217 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
140357145000 Würth Elektronik 140357145000 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
140357145400 Würth Elektronik 140357145400 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 3750vrms 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FODM3012-NF098 Fairchild Semiconductor FODM3012-NF098 -
RFQ
 ECAD 3889 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 5MA -
FOD4116SDV Fairchild Semiconductor FOD4116SDV -
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4116 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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