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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-LF2, f -
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP731 - 1 (무제한) 264-TLP731 (D4-BL-LF2F 귀 99 8541.49.8000 50
FODM121BR1V onsemi FODM121BR1V -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 400MV
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP, e 1.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5702 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 15V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 1 a - 15ns, 8ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
HCPL-263L-520E Broadcom Limited HCPL-263L-520E 2.5446
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-263 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 15MBD 24ns, 10ns 1.5V 15MA 5000VRMS 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
HMHA2801R1V onsemi HMHA2801R1V -
RFQ
 ECAD 5920 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA28 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
4N45-300E Broadcom Limited 4N45-300E 1.3128
RFQ
 ECAD 3860 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N45 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 7V 1.4V 20 MA 3750vrms 200% @ 10ma 1000 @ 10ma 5µs, 150µs -
OPIA6010ATRA TT Electronics/Optek Technology OPIA6010ATRA -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 5µs, 4µs 60V 1.2V 50 MA 5000VRMS 60% @ 1ma 600% @ 1ma - 300MV
HCPL-2430-000E Broadcom Limited HCPL-2430-000E 13.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2430 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 4.75V ~ 5.25V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 40MBD 20ns, 10ns 1.3V 10MA 3750vrms 2/0 1kv/µs 55ns, 55ns
PS8302L-AX Renesas Electronics America Inc PS8302L-AX 4.4632
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 대부분 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) PS8302 DC 1 트랜지스터 6-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 8ma - 35V 1.6V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 300ns, 330ns -
FOD4116SD Fairchild Semiconductor FOD4116SD 2.2800
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4116 CSA, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 132 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
PS2533L-1-A CEL PS2533L-1-A -
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2533L1A 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 100µs 350V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
ICPL2630 Isocom Components 2004 LTD ICPL2630 2.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 40ns, 10ns 7V 1.4V 20 MA 5000VRMS - - 40ns, 35ns -
SFH6136-X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X016 1.7000
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH6136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 25V 1.6V 25 MA 5300VRMS 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Y-TPL, SE 0.6100
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP9114B(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (TOJS-TL, f -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 대부분 쓸모없는 - 264-TLP9114B (TOJS-TLF 귀 99 8541.49.8000 1
MOC211R1M Fairchild Semiconductor MOC211R1M 1.0000
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 20% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
MOC3061M onsemi moc3061m 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC306 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.3V 60 MA 4170vrms 600 v 500µA (() 예 600V/µs 15MA -
APT1231 Panasonic Electric Works APT1231 1.9000
RFQ
 ECAD 836 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) APT123 CUR, VDE 1 트라이크 4-DIP 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 100 1.21V 50 MA 3750vrms 600 v 50 MA 3.5MA 예 500V/µs 10MA 100µs (최대)
TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BLL-TPL, e 0.5100
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 200% @ 500µa 400% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
HCPL-4534-020E Broadcom Limited HCPL-4534-020E 2.9448
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-4534 DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
SFH601-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2x016 1.5400
RFQ
 ECAD 826 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH601 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 100V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
HCPL-4506-360E Broadcom Limited HCPL-4506-360E 1.1673
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4506 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 15 MA - - 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
FOD2711ASV onsemi FOD2711ASV 1.6800
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2711 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-FOD2711ASV-488 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
PS2801A-1-F3-P-A CEL PS2801A-1-F3-PA -
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 2500VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
ORPC-817SB-TP-C-G-S-(GK) Shenzhen Orient Components Co., Ltd ORPC-817SB-TP-CGS- (GK) 0.3200
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (D4-TP, e 2.2400
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2770 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 20MBD 1.3ns, 1ns 1.5V 8ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
CNY17-3-300E Broadcom Limited CNY17-3-300E 0.2103
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 300MV
FOD410TV onsemi FOD410TV 1.8543
RFQ
 ECAD 4259 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 2MA 60µs
HCPL-0201-000E Broadcom Limited HCPL-0201-000E 3.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0201 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 25 MA 5MBD 30ns, 7ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 5kv/µs, 10kv/µs 300ns, 300ns
ACPL-573KL Broadcom Limited ACPL-573KL 730.5983
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) ACPL-573 DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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