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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
EL817(S)(A)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (s) (a) (tu) -g -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
6N139SM onsemi 6N139SM 1.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - 240ns, 1.3µs -
TLP5701(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (TP, e 1.2700
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5701 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 10V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 600 MA - 50ns, 50ns 1.57V 25MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
H11AG23SD onsemi H11AG23SD -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG23SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
ACPL-K49U-000E Broadcom Limited ACPL-K49U-000e 1.3560
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비) ACPL-K49 DC 1 트랜지스터 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 80 8ma - 20V 1.5V 20 MA 5000VRMS 32% @ 10ma 100% @ 10ma 20µs, 20µs (최대) -
VO4157M Vishay Semiconductor Opto Division VO4157M -
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO4157 CUR, fimko, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 700 v 300 MA 500µA 예 5kV/µs 3MA -
ACPL-M61U-500E Broadcom Limited ACPL-M61U-500E 6.8200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M61 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2711-1-M-A CEL PS2711-1-MA -
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 ECAD 9028 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS27111MA 귀 99 8541.49.8000 100 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 200% @ 1ma - 300MV
MOC5007FM onsemi MOC5007fm -
RFQ
 ECAD 9713 0.00000000 온세미 GlobalOptoisolator ™ 가방 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC500 DC 1 오픈 오픈 - 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz - - 1.6MA 7500VPK 1/0 - -
HCPL-M611-560E Broadcom Limited HCPL-M611-560E 1.5630
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ HCPL-M611 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
HCPL2731SM Fairchild Semiconductor HCPL2731SM 1.0000
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 달링턴 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - - -
FOD817S onsemi FOD817S 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FODM121CV onsemi FODM121CV -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
140816144400 Würth Elektronik 140816144400 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-DIP-SLM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 3µs, 4µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA -
FODM2701 onsemi FODM2701 0.7900
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM27 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 80ma 3µs, 3µs 40V 1.4V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
TLP715F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP715F (D4F) 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
APT1232WAY Panasonic Electric Works APT1232WAY 2.2700
RFQ
 ECAD 984 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (5 d), 갈매기 날개 APT1232 CUR, VDE 1 트라이크 6-DIP 날개 갈매기 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.21V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 500V/µs 10MA 100µs (최대)
4N32 onsemi 4N32 -
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N32 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
MCT2E Everlight Electronics Co Ltd MCT2E 0.4030
RFQ
 ECAD 2673 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - 3µs, 3µs 80V 1.23V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
HCNW139-000E Broadcom Limited HCNW139-000E 2.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCNW139 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 60ma - 18V 1.45V 20 MA 5000VRMS 200% @ 12ma - 11µs, 11µs -
4N45 Broadcom Limited 4N45 1.7398
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N45 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-1021-5 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 7V 1.4V 20 MA 3750vrms 200% @ 10ma 1000 @ 10ma 5µs, 150µs -
HCPL-263A#020 Broadcom Limited HCPL-263A#020 -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 5000VRMS 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
EL817(S1)(A)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (A) (TD) 0.1601
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
PS2705-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2705-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2705 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
PC3SF21YVZAF SHARP/Socle Technology PC3SF21YVZAF -
RFQ
 ECAD 4601 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SF21 BSI, CSA, Demko, Fimko, Semko, ur, vde 1 트라이크 6-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 1kv/µs 10MA 50 대 (최대)
EL817(S1)(C)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (C) (TU) -G 0.1162
RFQ
 ECAD 2370 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
MOC3032SR2VM onsemi MOC3032SR2VM -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC303 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3032SR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 MA 4170vrms 250 v 400µA (() 예 1kv/µs 10MA -
RV1S9162ACCSP-100C#KC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9162ACCSP-100C#KC0 2.0800
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ RV1S9162 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 30V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 25 MA 15Mbps - 1.54V 20MA 3750vrms 1/0 100kv/µs 60ns, 60ns
LDA202 IXYS Integrated Circuits Division LDA202 -
RFQ
 ECAD 2932 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) AC, DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.2V 1 MA 3750vrms 33% @ 1ma 1000% @ 1ma 7µs, 20µs 500MV
EL3H7(C)(EA)-G Everlight Electronics Co Ltd el3H7 (c) (ea) -g 0.1733
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 ECAD 1480 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C110000698 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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