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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HMAA2705R4 onsemi HMAA2705R4 -
RFQ
 ECAD 5566 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMAA27 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 40V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
TLP512(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (TP1F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TCET1106G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1106G 0.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TCET1106 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
CNW84300 onsemi CNW84300 -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNW84 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V - 100 MA 5900VRMS 0.63% @ 10ma 3.20% @ 10ma - 400MV
LTV-847 Lite-On Inc. LTV-847 0.9900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X7 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-847 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
PS2715-1-F3-A CEL PS2715-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
MOC3162SR2M onsemi MOC3162SR2M -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC316 ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3162SR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 MA 4170vrms 600 v 500µA (() 예 1kv/µs 10MA -
PS2801A-1-V-F3-M-A Renesas Electronics America Inc PS2801A-1-V-F3-MA -
RFQ
 ECAD 2709 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2801 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1491-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
SFH6106-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-2X001 0.3115
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
LDA200S IXYS Integrated Circuits Division LDA200S -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 LDA200 AC, DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.2V 1 MA 3750vrms 33% @ 1ma 1000% @ 1ma 7µs, 20µs 500MV
4N27FM onsemi 4N27fm -
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N27 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N27FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
6N135TVM onsemi 6N135TVM 0.8079
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) 6N135 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-mdip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 230ns, 450ns -
TLP521-4X Isocom Components 2004 LTD TLP521-4X 1.7300
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP521 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5009-TLP521-4X 귀 99 8541.49.8000 25 - 4µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
4N36W onsemi 4N36W -
RFQ
 ECAD 9224 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N36 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N36W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
CNY17-2S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17-2S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17-2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171757 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
H11B255M-V Everlight Electronics Co Ltd H11B255M-V -
RFQ
 ECAD 2434 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11B2 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C130000008 귀 99 8541.49.8000 65 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 25µs, 18µs 1V
ILD1-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD1-X009T -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ild1 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1.9µs, 1.4µs 50V 1.25V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma 300% @ 10ma 700ns, 1.4µs 400MV
6N139 Broadcom Limited 6N139 2.8400
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.4V 20 MA 3750vrms 500% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 200ns, 2µs -
TIL1113SD onsemi TIL1113SD -
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 TIL111 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL1113SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 2MA 10µs, 10µs (최대) 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS - - - 400MV
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-MFSOP, 5 리드 다운로드 264-TLP105 (MBS-TPLF) 귀 99 8541.49.8000 1 50 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
HCC242 TT Electronics/Optek Technology HCC242 23.1138
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 DC 1 트랜지스터 4-CLCC (5.59x3.81) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-HCC242 귀 99 8541.49.8000 30 50ma 20µs, 20µs 30V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 100% @ 10ma - - 300MV
IL388T Vishay Semiconductor Opto Division IL388T -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 8-SOP (0.220 ", 5.60mm 너비) IL388 DC 1 트랜지스터, 선형화 8-SOP MF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 350µs, - - 1.8V 30 MA 2130VDC - - - -
ACNT-H511-000E Broadcom Limited ACNT-H511-000E 5.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.535 ", 13.60mm 너비) ACNT-H511 DC 1 트랜지스터 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 80 12MA - 24V 1.45V 20 MA 7500VRMS 31% @ 12ma 80% @ 12ma 150ns, 400ns -
HCPL-2211#060 Broadcom Limited HCPL-2211#060 2.8577
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2211 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 5MBD 30ns, 7ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 5kv/µs, 10kv/µs 300ns, 300ns
VOM617A-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOM617A-4X001T 0.5700
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VOM617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 160% @ 5mA 320% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
HCPL-7710#360 Broadcom Limited HCPL-7710#360 -
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 12.5MBD 13ns, 5ns - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
TCED4100 Vishay Semiconductor Opto Division tced4100 0.7662
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) tced4100 DC 4 달링턴 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 300µs, 250µs 35V 1.15V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma - - 1V
PS2561AL-1-F3-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-F3-WA -
RFQ
 ECAD 4399 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1277-2 귀 99 8541.49.8000 2,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
MOC3020M onsemi MOC3020M 0.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC302 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.15V 60 MA 4170vrms 400 v 100µa (타이핑) 아니요 - 30ma -
HCPL-061A-560E Broadcom Limited HCPL-061A-560E 1.6602
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-061 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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