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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PS2561AL-1-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-QA -
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1279 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 300MV
TCMT1113 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1113 0.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TCMT1113 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5µs, 3µs 300MV
4N33S onsemi 4N33S -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N33 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N33S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP734 DC 1 트랜지스터 6-DIP - rohs 준수 1 (무제한) TLP734F (D4-C174F) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 4000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
MOC3063S-TA Lite-On Inc. MOC3063S-TA 0.1971
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Lite-On Inc. moc306x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC306 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, ur, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 400µA (() 예 600V/µs 5MA 8µs
TLP759F(MATDIGMJ,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759f (matdigmj, f -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP759 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759F (Matdigmjf 귀 99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
VO615A-6 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-6 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
LTV-352T Lite-On Inc. LTV-352T 0.7600
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-352T 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 LTV-352 DC 1 달링턴 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - - 1.2V
TLP265J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (TPR, e 0.8000
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP265 CUR, ur 1 트라이크 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 MA 3750vrms 600 v 70 MA 1MA (유형) 아니요 500V/µS (타이핑) 10MA 100µs (최대)
CNW85S onsemi CNW85S -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNW85 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V - 100 MA 5900VRMS 0.63% @ 10ma 3.20% @ 10ma - 400MV
VOT8024AM-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8024AM-VT2 0.4370
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 Vot8024 컬, ul, vde 1 트라이크 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 50 MA 3750vrms 800 v 100 MA 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
LTV-816 Lite-On Inc. LTV-816 0.3900
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-816 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-816 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
CNY17F1SR2M onsemi CNY17F1SR2M 0.7500
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F1 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
PS2566L-1-F3-A CEL PS2566L-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2566L-1TR 귀 99 8541.49.8000 2,000 200ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma - - 1V
VOM617A-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOM617A-4X001T 0.5700
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VOM617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 160% @ 5mA 320% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
FODM3051 onsemi FODM3051 -
RFQ
 ECAD 4713 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
IL251-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL251-X009T -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 IL251 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
TLP631(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP631 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-5500#200 Broadcom Limited HCPL-5500#200 75.3924
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-5500 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.55V 20 MA 1500VDC 9% @ 16ma - 400ns, 1µs -
PS2561L2-1-V CEL PS2561L2-1-V. -
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
EL816(S1)(A)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (A) (TU) -V 0.1333
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
TIL111S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd TIL111S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 TIL111 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 390717L107 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.22V 60 MA 5000VRMS - - - 400MV
ACPL-560KL Broadcom Limited ACPL-560KL 523.6525
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) ACPL-560 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
TIL111TM onsemi TIL111TM -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) TIL111 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL111TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 2MA 10µs, 10µs (최대) 30V 1.2V 60 MA 7500VPK - - - 400MV
FOD060LR1 onsemi FOD060LR1 -
RFQ
 ECAD 5655 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD060 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
4N26SD onsemi 4N26SD -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N26 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N26SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
ACPL-W454-020E Broadcom Limited ACPL-W454-020E -
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) ACPL-W454 DC 1 트랜지스터 6- 너무 뻗어 너무 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200ns, 300ns -
QTT2223ST1 QT Brightek (QTB) QTT2223ST1 3.2100
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 QT Brightek (QTB) QTX223 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-SMD (7 d), 갈매기 날개 QTT2223 ul, vde 1 트라이크, 파워 7-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V (최대) 50 MA 5000VRMS 600 v 900 MA 25MA 아니요 200V/µs 10MA -
CNY17-4M Everlight Electronics Co Ltd CNY17-4m 0.3784
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17-4 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
CNY17F-2M-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-2M-V 1.0700
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17F DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171779 귀 99 8541.49.8000 65 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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