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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
4N27S(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N27S (TA) -
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172702 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
6N135S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 6N135S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C170000031 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 350ns, 500ns -
PS2532-1-V-A CEL PS2532-1-VA -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 100µs 300V 1.15V 80 MA 5000VRMS 1500% @ 1ma 6500% @ 1ma - 1V
FOD0721 onsemi FOD0721 4.8200
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD072 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 25Mbps 5ns, 4.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
H11A617DSD onsemi H11A617DSD -
RFQ
 ECAD 1209 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.35V 50 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
TLP751(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP751 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP - rohs 준수 적용 적용 수 할 TLP751 (D4-TP1F) 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 15V 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% @ 16ma - 200ns, 1µs -
EL3052S(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3052S (TA) 0.4606
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3052 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903520004 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 250µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
HCNR200-350E Broadcom Limited HCNR200-350E 2.2173
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCNR200 DC 1 태양 태양, 광 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 - - - 1.6V 25 MA 5000VRMS 0.25% @ 10ma 0.75% @ 10ma - -
TLP621-4X Isocom Components 2004 LTD TLP621-4X 1.7300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP621 DC 4 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5009-TLP621-4X 귀 99 8541.49.8000 25 - 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
CNY17-3S(TB) Everlight Electronics Co Ltd CNY17-3S (TB) -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17-3 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171711 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
TLX9291(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9291 (tojgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 대부분 쓸모없는 - 264-TLX9291 (TOJGBTLF (o 귀 99 8541.49.8000 1
CNY17F-1S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F -1S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171775 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
EL357ND(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL357ND (TA) -G -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL357 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
LTV-206 Lite-On Inc. LTV-206 0.3658
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Lite-On Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 트랜지스터 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 80V 1.2V 30 MA 3750vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5µs, 4µs 400MV
8302401EC Broadcom Limited 8302401ec 109.0700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 8302401 DC 4 달링턴 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
EL2631S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL2631S (TA) -V 3.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 EL2631 DC 2 오픈 오픈 7V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 40ns, 10ns 1.4V 20MA 5000VRMS 2/0 10kV/µs 100ns, 100ns
HCNW4562#500 Broadcom Limited HCNW4562#500 -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 750 8ma - 20V 1.6V 25 MA 5000VRMS - - - 1.25V
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Y-TPL, SE 0.4900
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP184 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
SFH618A-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-4X016 0.3918
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH618 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 1MA 160% 320% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
TLP126(ASAHID,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Asahid, F) -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP126 - 1 (무제한) 264-TLP126 (Asahidf) 귀 99 8541.49.8000 150
5962-0824202KPA Broadcom Limited 5962-0824202KPA 616.0314
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-0824202 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
HCPL2531SM onsemi HCPL2531SM 1.2320
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2531 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-HCPL2531SM-488 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
SFH6106-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-2X001 0.3115
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
4N23UTXV TT Electronics/Optek Technology 4N23UTXV -
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SMD,, 없음 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-LCC (6.22x4.32) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 - 15µs, 15µs 35V 1.3V (최대) 40 MA 1000VDC 60% @ 10ma - - 300MV
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-YH, e 0.5500
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP385 (D4-YHE 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (FD-GBTL, f -
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 대부분 쓸모없는 - 264-TLP9121A (FD-GBTLF 귀 99 8541.49.8000 1
TLP116A(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP116A (e 1.5100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP116 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 5A991 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.58V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60ns, 60ns
ACPL-573KL-100 Broadcom Limited ACPL-573KL-100 730.5983
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d ACPL-573 DC 2 달링턴 8-DIP 조인트 엉덩이 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
TLP267J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (T2-TPL, e 1.0700
RFQ
 ECAD 7842 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP267 CQC, CUR, ur 1 트라이크 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 MA 3750vrms 600 v 70 MA 200µA (유형) 아니요 500V/µS (타이핑) 3MA 100µs
FODM2705R2 onsemi FODM2705R2 0.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM2705 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 40V 1.4V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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