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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
6N136-320E Broadcom Limited 6N136-320E 0.6638
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
VO4661-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4661-X006 3.5500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO4661 DC 2 열린 열린 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 23ns, 7ns 1.4V 15MA 5300VRMS 2/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2861B-1Y-V-A Renesas PS2861B-1Y-VA -
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Renesas - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP - 2156-PS2861B-1Y-VA 1 50ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA 5µs, 5µs 300MV
EL3041S(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3041S (TA) 0.3799
RFQ
 ECAD 1523 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3041 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903410004 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 15MA -
NTE3041 NTE Electronics, Inc NTE3041 2.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE3041 귀 99 8541.49.8000 1 150ma 3.2S, 4.7S 30V 1.15V 60 MA 7500VPK - - 7.5S, 5.7S 300MV
EL817(S1)(A)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (A) (TU) -G 0.1212
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
EL213 Everlight Electronics Co Ltd EL213 -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 100% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
TCMT1112 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1112 -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TCMT1112 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5µs, 3µs 300MV
SFH640-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH640-3X007T 2.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 SFH640 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.5µs, 5.5µs 300V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5µs, 6µs 400MV
H11AA4M onsemi H11aa4m 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11aa AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma - 30V 1.17V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - - 400MV
HCPL-4506#020 Broadcom Limited HCPL-4506#020 2.1896
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-4506 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 15 MA - - 1.5V 25MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
PS2561AL2-1-E3-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL2-1-E3-A 0.5300
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
4N26S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N26S (TA) -V -
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172608 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
PS9309L2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9309L2-V-AX 4.4955
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 조각 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) PS9309 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 1Mbps 24ns, 3.2ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 200ns, 200ns
TLP2761(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (e 1.1800
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2761 AC, DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP265J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (TPR, e 0.8000
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP265 CUR, ur 1 트라이크 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 MA 3750vrms 600 v 70 MA 1MA (유형) 아니요 500V/µS (타이핑) 10MA 100µs (최대)
TLP372(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (F) -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP372 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP372F 귀 99 8541.49.8000 50 150ma 40µs, 15µs 300V 1.15V 60 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
HMA121FR3 onsemi HMA121FR3 -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (ISIMT4, J, f -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759F (ISIMT4JF 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
H11N2SR2VM onsemi H11N2SR2VM -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
6N138S Lite-On Inc. 6N138S 0.8100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Lite-On Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N138 DC 1 베이스와 베이스와 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma - 7V 1.1V 20 MA 5000VRMS 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 1.6µs, 10µs -
SFH615A-4X Isocom Components 2004 LTD SFH615A-4X 0.5700
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4.6µs, 15µs 70V 1.65V (() 50 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6µs, 25µs 400MV
PS9817A-1-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-1-V-AX 9.0700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PS9817 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.65V 20MA 2500VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
TLP121(Y-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP121 (Y-TPLF) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
ACPL-M46T-500E Broadcom Limited ACPL-M46T-500E 5.0300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Broadcom Limited 자동차, AEC-Q100, R²Coupler ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M46 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 15 MA - - 1.5V 20MA 4000VRMS 1/0 15kV/µs 550ns, 550ns
SFH615A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2x017T 0.3631
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP383(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4, e -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP383 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 1 (무제한) 264-TLP383 (D4E 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
FOD819 onsemi FOD819 1.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD819 AC, DC 1 트랜지스터 4-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 12µs, 20µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 100% @ 1.5ma 600% @ 1.5ma 18µs, 18µs 300MV
VOT8125AB-VT Vishay Semiconductor Opto Division VOT8125AB-VT 0.4441
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD (5 d), 갈매기 날개 Vot8125 CQC, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 751-VOT8125AB-VTTR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 400µA (() 아니요 1kv/µs 5MA -
PS2702-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2702-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2702 DC 1 달링턴 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1439-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 200ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 700% @ 1ma 3400% @ 1ma - 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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