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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
PC123X5YFZ1B SHARP/Socle Technology PC123X5YFZ1B 0.2269
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 날카로운/기술 소셜 PC123 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) PC123X5 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 1140VPK 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
VO617A-7X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-7X016 0.3900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 80V 1.35V 60 MA 5300VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
HCPL-6751 Broadcom Limited HCPL-6751 168.3700
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16- 플랫 팩 HCPL-6751 DC 4 달링턴 16- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
140816140210 Würth Elektronik 140816140210 0.3800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 732-140816140210 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA -
H11A1SR2VM Fairchild Semiconductor H11A1SR2VM 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1,379 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
PS9309L2-V-AX CEL PS9309L2-V-AX -
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 셀 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 1Mbps 24ns, 3.2ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 200ns, 200ns
TLP126(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (MBS-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP126 - 1 (무제한) 264-TLP126 (MBS-TPLF) TR 귀 99 8541.49.8000 3,000
PS2561AL2-1-A CEL PS2561AL2-1-A -
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
ILQ620-X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ620-X001 1.7055
RFQ
 ECAD 8320 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ620 AC, DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 20µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
APS1241SZ Panasonic Electric Works APS1241SZ 2.2134
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Panasonic Electric Works - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ APS1241 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 5-SOP - rohs 준수 255-APS1241SZTR 귀 99 8541.49.8000 1,000 10 MA 20Mbps 2ns, 2ns 1.6V 25MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
CNY117F-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-3X016 0.2743
RFQ
 ECAD 9656 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY117 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
CPC3140P IXYS Integrated Circuits Division CPC3140p -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 쓸모없는 - - - CPC3140 - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - - - - - - - -
TLP716(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4-MBS-TP, f -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP716 (D4-MBS-TPF 귀 99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
8102804FC Broadcom Limited 8102804FC 153.7536
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16- 플랫 팩 8102804 DC 4 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 16- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 35ns, 35ns 1.5V 20MA 1500VDC 4/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PS2561AL2-1-E4-A CEL PS2561AL2-1-E4-A -
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
TLP187(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (V4-TPR, e -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP - 1 (무제한) 264-TLP187 (V4-TPRET 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.25V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
PS9587L1-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9587L1-V-AX 4.4700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) PS9587 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-PS9587L1-V-AX 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.65V 30ma 5000VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
TLP732(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (BL-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732 (BL-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
TIL195B Texas Instruments TIL195B 0.7300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1
TLP719F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SDIP - 264-TLP719F (ABB-TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP781(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRH, F) -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (GRHF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
FOD817ASD_F117 Fairchild Semiconductor FOD817ASD_F117 1.0000
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - - - FOD817 - - - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - - - - - - - -
HCPL-0453-560E Broadcom Limited HCPL-0453-560E 2.6000
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0453 DC 1 트랜지스터 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 15% @ 16ma - 1µs, 1µs (최대) -
SFH608-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-3X006 0.4754
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH608 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 5µs, 7µs 55V 1.1V 50 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 8µs, 7.5µs 400MV
TLP2358(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage tlp2358 (tpl, e) 1.0200
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2358 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 20V 6-5 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 25 MA - 15ns, 12ns 1.55V 20MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
EL4504 Everlight Electronics Co Ltd EL4504 1.4813
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C170000082 귀 99 8541.49.8000 45 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 25% @ 16ma 60% @ 16ma - -
HCPL3700V onsemi HCPL3700V 5.4300
RFQ
 ECAD 870 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL3700 AC, DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-HCPL3700V-488 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 45µs, 0.5µs 20V - 2500VRMS - - 6µs, 25µs -
EL215(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL215 (TB) -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL215 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 20% @ 1ma - 3µs, 3µs 400MV
FOD2711 Fairchild Semiconductor FOD2711 0.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 951 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
HCPL0453 Fairchild Semiconductor HCPL0453 1.1900
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.49.8000 253 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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