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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
H11B13S onsemi H11B13S -
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B13S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
PS9821-1-F4-A CEL PS9821-1-F4-A -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 3.6V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,500 25 MA 15Mbps 20ns, 5ns 1.65V 20MA 2500VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2913-1-K-AX CEL PS2913-1-K-AX -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 셀 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 10µs, 10µs 120V 1.1V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 80µs, 50µs 300MV
EL817(S)(C)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (C) (TD) -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
NTE3092 NTE Electronics, Inc NTE3092 4.9200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE3092 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 15V 1.65V 25 MA - 19% @ 16ma - 500ns, 200ns -
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GR-TPL, e 0.5600
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
FOD410SDV Fairchild Semiconductor FOD410SDV 1.0000
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD410 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 2MA 60µs
VOM617A-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOM617A-2x001T 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VOM617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 63% @ 5mA 125% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
PS8501L2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS8501L2-V-AX 3.8400
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 PS8501 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-PS8501L2-V-AX 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 35V 1.7V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - - -
PS9817A-2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-2-V-AX 10.3900
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PS9817 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.65V 15MA 2500VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
EL817(M)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (M) -VG -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Yask, F) -
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) AC, DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 264-TLP620-2 (YASKF) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TCLT1115 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1115 0.2596
RFQ
 ECAD 6728 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 TCLT1115 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SOP, 5 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
PS9001-Y-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9001-YV-AX 5.1400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 컷 컷 (CT) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 PS9001 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 5-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 20 MA 10Mbps - 1.56V 25MA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 100ns, 100ns
MOC119W onsemi moc119w -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC119 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC119W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.15V 60 MA 5300VRMS 300% @ 10ma - 3.5µs, 95µs 1V
OR-M3063(L)-TP-G Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-M3063 (L) -TP-G 0.6700
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000
PS2514-1Y-A CEL PS2514-1Y-A -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS25141YA 귀 99 8541.49.8000 100 20MA 15µs, 15µs 40V 1.1V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 200% @ 5mA - 350MV
ACPL-021L-560E Broadcom Limited ACPL-021L-560E 1.0911
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACPL-021 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 5MBD 11ns, 11ns 1.5V 8ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
FODM3010R4V Fairchild Semiconductor FODM3010R4V 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 15MA -
PS2561DL1-1Y-A CEL PS2561DL1-1Y-A -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 400 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS9013-Y-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9013-YV-AX 5.5100
RFQ
 ECAD 685 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 조각 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 PS9013 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 25V 5-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 15 MA 1Mbps - 1.56V 25MA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 750ns, 500ns
TLP550-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP550 - 1 (무제한) 264-TLP550-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
MOC3012TVM Fairchild Semiconductor MOC3012TVM 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 794 1.15V 60 MA 4170vrms 250 v 100µa (타이핑) 아니요 - 5MA -
ACPL-M75N-500E Broadcom Limited ACPL-M75N-500E 3.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Broadcom Limited ACPL-M75N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M75N DC 1 오픈 오픈 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 6ns, 5ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 30kV/µs 55ns, 55ns
EL815(S1)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S1) (TA) -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
CNY65A Vishay Semiconductor Opto Division CNY65A 2.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) CNY65 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 30 50ma 2.4µs, 2.7µs 32V 1.25V 75 MA 8200VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5µs, 3µs 300MV
CNY17F-4X017 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X017 0.2509
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
FOD410SD onsemi FOD410SD 4.1600
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD410 CSA, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 2MA 60µs
MOC3011SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3011SR2VM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 733 1.15V 60 MA 4170vrms 250 v 100µa (타이핑) 아니요 - 10MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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