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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
H11AG33SD onsemi H11AG33SD -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG33SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 20% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
RV1S2281ACCSP-10YC#KC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2281ACCSP-10YC#KC0 0.6900
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 115 ° C 표면 표면 4-SOP (0.295 ", 7.50mm 너비) RV1S2281 DC 1 트랜지스터 4-LSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 4µs, 5µs 80V 1.15V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS2933-1-F3-AX CEL PS2933-1-F3-AX -
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 DC 1 달링턴 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2933-1-F3-AXTR 귀 99 8541.49.8000 3,500 60ma 20µs, 5µs 350V 1.1V 50 MA 2500VRMS 400% @ 1ma 4500% @ 1ma - 1V
SFH6712 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6712 -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH6712 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 15V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 5MBD 40ns, 10ns 1.6V 10MA 5300VRMS 1/0 2.5kV/µs 300ns, 300ns
EL3031S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3031S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3031 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903310006 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 250 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 15MA -
IS181C Isocom Components 2004 LTD IS181C 0.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 IS181 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
MOC3083FR2M onsemi MOC3083FR2M -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC308 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3083FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 800 v 500µA (() 예 - 5MA -
PC123X2YFZ1B SHARP/Socle Technology PC123X2YFZ1B -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 5,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS - - - 200MV
HCPL-5601#200 Broadcom Limited HCPL-5601#200 87.8232
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-5601 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 35ns, 35ns 1.5V 20MA 1500VDC 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
140100146000 Würth Elektronik 140100146000 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 6µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
H11N2SVM onsemi H11N2SVM -
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
HCPL2631SM onsemi HCPL2631SM 1.1388
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2631 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 30ma 5000VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD852 onsemi FOD852 1.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD852 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
5962-8978503KPA Broadcom Limited 5962-8978503KPA 695.9983
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-8978503 DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
PC3Q410NIP Sharp Microelectronics PC3Q410NIP -
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 4 트랜지스터 16- 미니 플랫 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 2500VRMS 50% @ 500µa 400% @ 500µa - 200MV
H11G2SD onsemi H11G2SD -
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
PS2761B-1-V-F3-K-A CEL PS2761B-1-V-F3-KA -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 25 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
H11B815300 onsemi H11B815300 -
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11B DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B815300-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 80ma 300µs, 250µs (최대) 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (F) -
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP620 AC, DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-6250 Broadcom Limited HCPL-6250 180.8900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16- 플랫 팩 HCPL-6250 DC 4 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 16- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 5MBD 45ns, 10ns 1.3V 8ma 1500VDC 4/0 1kv/µs 350ns, 350ns
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP532 - 1 (무제한) 264-TLP532 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (C20TL, UC, f -
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 DC 1 태양 태양 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 264-TLP190B (C20TLUCF 귀 99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
LTV-733 Lite-On Inc. LTV-733 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-733 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-733 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
ACPL-847-30GE Broadcom Limited ACPL-847-30ge 0.6447
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-DIP ACPL-847 DC 4 트랜지스터 16 날개 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
H11A817D300 onsemi H11A817D300 -
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817D300-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
PS9821-2-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9821-2-V-F3-AX 5.4100
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PS9821 DC 2 오픈 오픈 2.7V ~ 3.6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 25 MA 15Mbps 20ns, 5ns 1.65V 15MA 2500VRMS 2/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2561L-1-H-A CEL PS2561L-1-HA -
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2561L1HA 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
VOT8025AD Vishay Semiconductor Opto Division Vot8025ad 0.4137
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 Vot8025 CQC, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 751-VOT8025AD 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 50 MA 5300VRMS 800 v 100 MA 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
4N37300W onsemi 4N37300W -
RFQ
 ECAD 9601 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N37 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N37300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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