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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PS9587L3-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS9587L3-E3-AX 3.3000
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 PS9587 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.65V 30ma 5000VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
CNY17-1 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1 0.6800
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
S21ME5PY Sharp Microelectronics S21me5py 0.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 S21m BSI, Demko, Semko, ur, vde 1 트라이크 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 100V/µs 10MA 100µs (최대)
4N28S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N28S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 8773 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172811 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Bll, e 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP183 (Blle 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
PS2501L-1-H-A Renesas Electronics America Inc PS2501L-1-HA 0.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1126 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
PS2801A-1-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2801A-1-F3-A 0.9300
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2801 DC 1 트랜지스터 4-SSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
APT1211AX Panasonic Electric Works APT1211AX 1.8800
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 APT1211 CUR, VDE 1 트라이크 4-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.21V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 500V/µs 10MA 100µs (최대)
FOD2712AR2V onsemi FOD2712AR2V 1.9600
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD2712 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma - 30V 1.5V (최대) 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
PS2561D-1Y-H-A CEL PS2561D-1Y-HA 0.5000
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) PS2561 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2561D1YHA 귀 99 8541.49.8000 400 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
LTV-814M Lite-On Inc. LTV-814M 0.1370
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X4 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) LTV-814 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) LTV814M 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
LOC117P IXYS Integrated Circuits Division loc117p 3.3800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 loc117 DC 1 태양 태양, 광 8- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - - 1.2V 3750vrms - - - -
MCT271S onsemi MCT271S -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT271 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT271S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 45% @ 10ma 90% @ 10ma 1µs, 48µs 400MV
H11AA3S onsemi H11AA3S -
RFQ
 ECAD 5934 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA3S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - - 400MV
SFH6106-3T-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3T-LB -
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Vishay to Opto Division SFH6106 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 영향을받지 영향을받지 751-SFH6106-3T-LB 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 14µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4.2µs, 23µs 400MV
PC3Q67 Sharp Microelectronics PC3Q67 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 4 트랜지스터 16- 미니 플랫 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 2500VRMS - - - 200MV
HCPL-4701-000E Broadcom Limited HCPL-4701-000E 4.1400
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-4701 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.25V 10 MA 3750vrms 600% @ 500µa 8000% @ 500µa 3µs, 34µs -
MOC3021 onsemi MOC3021 -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC302 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3021QT 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 5300VRMS 400 v 100µA 아니요 15MA
EL815(S)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S) (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4557 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
4N28S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N28S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172804 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
HCPL-5600#200 Broadcom Limited HCPL-5600#200 82.0663
RFQ
 ECAD 4578 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-5600 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 35ns, 35ns 1.5V 20MA 1500VDC 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
FODM3052V-NF098 onsemi FODM3052V-NF098 2.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-MFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 450µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
MOC3051FR2M onsemi MOC3051FR2M -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC305 ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3051FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 MA 7500VPK 600 v 280µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
ACPL-214-500E Broadcom Limited ACPL-214-500E 0.8100
RFQ
 ECAD 4296 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) ACPL-214 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3000vrms 20% @ 1ma 400% @ 1ma 3µs, 3µs 400MV
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-MBT1, F) -
RFQ
 ECAD 1956 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP2958 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 20V 8-DIP 다운로드 264-TLP2958 (D4-MBT1F) 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
VOS627A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-4T 0.7200
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 50 MA 3750vrms 160% @ 5mA 320% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
FOD2743CS onsemi FOD2743CS -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD274 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
EL3062S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3062S (TA) -V 0.6941
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3062 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903620012 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 10MA -
VO615A-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-4X017T 0.4700
RFQ
 ECAD 5730 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
4N403SD onsemi 4N403SD -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N40 ur, vde 1 Scr 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N403SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 MA 5300VRMS 400 v 300 MA 1MA 아니요 500V/µs 14ma 50 대 (최대)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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