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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
FOD815 onsemi FOD815 -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD815 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
IS181C Isocom Components 2004 LTD IS181C 0.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 IS181 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f (d4teet7f -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4TEET7FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PS2501L-1-E3-K-A CEL PS2501L-1-E3-KA -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
PS2561DL1-1Y-H-A CEL ps2561dl1-1y-ha -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
H11L1TVM_F132 onsemi H11L1TVM_F132 -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11L DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
TIL920 Texas Instruments TIL920 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1
EL816(S1)(Y)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (Y) (TA) -
RFQ
 ECAD 6973 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 200MV
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-TP6, f -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (bll-tp6ftr 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
IL252-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X007T 1.9100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 IL252 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - - 400MV
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
5962-0824203HUC Broadcom Limited 5962-0824203HUC 102.6384
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SMD,, 관절 5962-0824203 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 16-smd 엉덩이 d 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PS2802-1-L-A CEL PS2802-1-LA -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 90ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 700% @ 1ma 3400% @ 1ma - 1V
PS2805C-1-M-A Renesas Electronics America Inc PS2805C-1-MA -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2805 AC, DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1511 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 5µs, 7µs 80V 1.2V 30 MA 2500VRMS 100% @ 5mA 400% @ 5mA 10µs, 7µs 300MV
APC-817B1-SL American Bright Optoelectronics Corporation APC-817B1-SL 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 American Bright Optoelectronics Corporation APC-817 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 APC-817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
MCT2SR2VM onsemi MCT2SR2VM -
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2SR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 1.5µs 30V 1.25V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
ILQ2-X006 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X006 -
RFQ
 ECAD 1915 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ2 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1.2µs, 2.3µs 400MV
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F (TP4, F) -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 20V 8-smd 다운로드 264-TLP2958F (TP4F) 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
MOCD208R2VM Fairchild Semiconductor MOCD208R2VM 0.4800
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 트랜지스터 8-SOIC - Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
H11N3FR2VM onsemi H11n3fr2vm -
RFQ
 ECAD 1978 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11AA1M Fairchild Semiconductor H11aa1m 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1,535 - 10µs, 10µs (최대) 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 10µs, 10µs (최대) 400MV
ISP817DSM Isocom Components 2004 LTD ISP817DSM 0.6400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 ISP817 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5300VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
MCT2EW onsemi mct2ew -
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2EW-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 1.1µs, 50µs 400MV
EL814S1(A)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL814S1 (A) (TD) -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 7µs, 11µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
SFH6106-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-2 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
4N30S(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N30S (TA) 0.3666
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150020 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
H11A8173S Fairchild Semiconductor H11A8173S 0.0600
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
IL252-X017 Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X017 -
RFQ
 ECAD 9314 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 3-smd,, 날개 IL252 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - - 400MV
IL300-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X007 4.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
MOC3022M_F132 onsemi MOC3022M_F132 -
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC302 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 MA 4170vrms 400 v 100µa (타이핑) 아니요 - 10MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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