SIC
close

광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HCPL-0601-060E Broadcom Limited HCPL-0601-060E 1.0600
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0601 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 100ns, 100ns
EL1014(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1014 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1014 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 4µs, 3µs 300MV
MOC3042TVM Fairchild Semiconductor MOC3042TVM 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 496 1.25V 60 MA 4170vrms 400 v 400µA (() 예 1kv/µs 10MA -
PS2562L2-K-A CEL PS2562L2-KA -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 45 200ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 2000% @ 1ma - - 1V
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTRE 1.7900
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 500µa 600% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
6N136 Vishay Semiconductor Opto Division 6N136 1.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 15V 1.33V 25 MA 5300VRMS 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
H11A3SVM onsemi H11A3SVM -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
PS2503L-1-K-A Renesas Electronics America Inc PS2503L-1-KA -
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2503 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1248 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 20µs, 30µs 40V 1.1V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma 400% @ 1ma - 250MV
H11N2FR2M onsemi H11n2fr2m -
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
MOC3033M onsemi MOC3033M 1.4300
RFQ
 ECAD 754 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC303 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.25V 60 MA 4170vrms 250 v 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
PC81710NSZ Sharp Microelectronics PC81710NSZ -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 425-1456-5 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 100% @ 500µa 600% @ 500µa - 200MV
PS2561-4-V CEL PS2561-4-V -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 20 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS9313L-AX Renesas PS9313L-AX -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 20V 6-SDIP - 2156-PS9313L-AX 1 15 MA 1Mbps - 1.56V 25MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 500ns
PS2525L-1-E3-A CEL PS2525L-1-E3-A -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.3V 150 MA 5000VRMS 20% @ 100ma 80% @ 100ma - 300MV
H11B2SD onsemi H11B2SD -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 MA 5300VRMS 200% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
PS8302L-E3-AX CEL PS8302L-E3-AX -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 트랜지스터 6-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 35V 1.6V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 300ns, 330ns -
4N31300 onsemi 4N31300 -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N31 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N31300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1.2V
VOL617A-4X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-4X001T 0.5000
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 Vol617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 160% @ 5mA 320% @ 5mA 6µs, 5.5µs 400MV
PS2561AL1-1-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL1-1-A 0.1586
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) PS2561 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1286 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
FOD8001 onsemi FOD8001 6.9200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD800 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 25Mbps 6.5ns, 6.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
HCPL-177K Broadcom Limited HCPL-177K 662.5550
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-177 DC 4 달링턴 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
CNY173W onsemi CNY173W -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY173W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
LTV-844HS-TA Lite-On Inc. LTV-844HS-TA -
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Lite-On Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 LTV-844 AC, DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 1 (무제한) LTV844HSTA 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 4µs, 3µs 35V 1.4V 150 MA 5000VRMS 20% @ 100ma 80% @ 100ma - 200MV
HCPL0600 Fairchild Semiconductor HCPL0600 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.49.8000 214 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
SFH601-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2X007 -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 SFH601 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 100V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Gr, F) -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP620 AC, DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 264-TLP620-2 (GRF) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PC703V0NIZX Sharp Microelectronics PC703v0nizx -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 425-1413-5 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS - - - 200MV
TCMT4100 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT4100 2.1800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TCMT4100 DC 4 트랜지스터 16-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
PS2501A-1-W-A CEL PS2501A-1-WA -
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) PS2501 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
IL203-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL203-X009T -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 IL203 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 225% @ 10ma 450% @ 10ma - 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다