SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HCPL-181-000E Broadcom Limited HCPL-181-000E 0.6600
RFQ
ECAD 110 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) HCPL-181 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
4N29S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N29S (TB) -V -
RFQ
ECAD 9841 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150013 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
SFH615AA Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AA 0.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 2µs, 25µs 400MV
LTV-844M Lite-On Inc. LTV-844M 1.0140
RFQ
ECAD 3863 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X4 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-844 AC, DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) LTV844M 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
SFH6186-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3X001T 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6186 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
H11B3 Fairchild Semiconductor H11B3 0.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
ACPL-064L-560E Broadcom Limited ACPL-064L-560E 5.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACPL-064 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 10MBD 12ns, 12ns 1.3V 8ma 3750vrms 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
H11B3 Vishay Semiconductor Opto Division H11B3 -
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma - 25V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma - 5µs, 30µs 1V
EL3H7(C)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (C) -G 0.2861
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903H70002 귀 99 8541.49.8000 150 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
H11A1S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A1S (TB) -V -
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11A1 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171109 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
FODM1007 onsemi FODM1007 0.7300
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM10 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 5.7µs, 8.5µs 70V 1.4V 50 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
SFH6712 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6712 -
RFQ
ECAD 1685 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH6712 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 15V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 5MBD 40ns, 10ns 1.6V 10MA 5300VRMS 1/0 2.5kV/µs 300ns, 300ns
6N136 Isocom Components 2004 LTD 6N136 1.1100
RFQ
ECAD 317 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6N136IS 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 150ns, 400ns -
MOC3023M onsemi MOC3023M 0.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC302 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.15V 60 MA 4170vrms 400 v 100µa (타이핑) 아니요 - 5MA -
CNC1S101S Panasonic Electronic Components CNC1S101S -
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNC1S101 DC 1 트랜지스터 4-dil 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.35V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
H11A617D300 onsemi H11A617D300 -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.35V 50 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
FODM3022R3V onsemi FODM3022R3V -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
SFH691A-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH691A-X001T 0.3560
RFQ
ECAD 3296 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH691 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA 5µs, 3µs 300MV
HCPL-0300 Broadcom Limited HCPL-0300 7.0467
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0300 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.75V ~ 5.25V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-1067-5 귀 99 8541.49.8000 100 25 MA 5MBD 40ns, 20ns 1.3V 5MA (유형) 3750vrms 1/0 100V/µs 160ns, 200ns
CNW82S onsemi CNW82S -
RFQ
ECAD 5557 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNW82 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 50V - 100 MA 5900VRMS 0.4% @ 10ma - - 400MV
PS2381-1Y-V-F3-L-AX Renesas Electronics America Inc PS2381-1Y-V-F3-L-AX 0.4419
RFQ
ECAD 3549 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 115 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2381 DC 1 트랜지스터 4-LSOP (2.54mm) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1213-2 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 5µs 80V 1.1V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, e 1.7700
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2370 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 10 MA 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
HCPL2531S Fairchild Semiconductor HCPL2531S 1.0000
RFQ
ECAD 5807 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
PC817X2CSP9F SHARP/Socle Technology PC817X2CSP9F 0.0750
RFQ
ECAD 9793 0.00000000 날카로운/기술 소셜 PC817 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FOD8012R2 onsemi FOD8012R2 2.0270
RFQ
ECAD 9971 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD8012 논리 2 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15Mbps 6.5ns, 6.5ns - - 3750vrms 1/1 20kV/µs 60ns, 60ns
PS2506L-2-A CEL PS2506L-2-A -
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 AC, DC 2 달링턴 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 45 160ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma - - 1V
HCPL-7721-320E Broadcom Limited HCPL-7721-320E 3.5436
RFQ
ECAD 9550 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-7721 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 25MBD 9ns, 8ns - - 5000VRMS 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
PC3H410NIP1B Sharp Microelectronics PC3H410NIP1B -
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C - - AC, DC 1 트랜지스터 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 2500VRMS - - - 200MV
PS9851-1-F3-AX CEL PS9851-1-F3-AX -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 2 MA 15Mbps 4NS, 4NS 1.6V 20MA 2500VRMS 1/0 10kV/µs 60ns, 60ns
MOC3032TM onsemi MOC3032TM -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC303 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3032TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 MA 4170vrms 250 v 400µA (() 1kv/µs 10MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고