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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4GB-TL,E 0.6100
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ECAD 1349 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP383 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
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ECAD 1266 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J(TPL,E 0.9900
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ECAD 1432 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP267 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 200μA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 3mA 100μs
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0.6100
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ECAD 6152 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
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ECAD 8672 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3042 BSI, SEMKO, UR 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50mA 5000Vrms 400V 100mA 600μA(통상) 200V/μs 10mA -
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(E) -
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ECAD 1657년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP550 -TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -TP1,F) -
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ECAD 8236 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP250H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(D4-TP1,F) 1.7900
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ECAD 7192 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP250 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 1,500 2.5A - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500ns, 500ns
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(E 1.8000
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ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP3905 DC 1 태양광 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 30μA(통상) - 7V 1.65V 30mA 3750Vrms - - 300μs, 1ms -
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GB-TR,E 0.5600
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ECAD 8208 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161(F) -
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ECAD 8290 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TLP2161 DC 2 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 8-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2161F EAR99 8541.49.8000 100 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 2500Vrms 2/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPL,U,F) 1.0712
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ECAD 2518 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP3902 DC 1 태양광 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 TLP3902(TPLUF) EAR99 8541.49.8000 3,000 5μA - 7V 1.15V 50mA 2500Vrms - - 600μs, 2ms -
TLP161J(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(IFT5,U,C,F -
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ECAD 8740 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP161J - 1(무제한) 264-TLP161J(IFT5UCFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPR,E 1.7700
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ECAD 1016 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2370 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPR,SE 0.6000
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ECAD 2461 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB,E 0.5000
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ECAD 1400 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(Y-TPL,E 0.5500
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP182 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPL,F) -
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ECAD 1862년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP137 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP137(BV-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR-TPL,F) -
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ECAD 2963년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(U,C,F) -
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ECAD 3279 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP161J UR 1 조치액 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50mA 2500Vrms 600V 70mA 600μA(통상) 200V/μs 10mA -
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(GB,F) -
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ECAD 8762 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) TLP620 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
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ECAD 1975년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(PSD-TL,F) -
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ECAD 2942 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033(S,C,F) -
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ECAD 3200 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3033 UR 얌코 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP3033(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250V 100mA - - 5mA -
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y,E 0.5100
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ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(예 EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(TPL,E 0.5700
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2363(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPR,E 1.0200
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ECAD 7215 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2363 DC 1 오픈컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP3073(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073(F 1.9900
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ECAD 1031 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3073 CQC, CU, UR 1 조치액 6- 딥 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50mA 5000Vrms 800V 100mA 1mA(통상) 아니요 2kV/μs(통상) 5mA -
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR-TPL,E 0.5200
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ECAD 4529 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP182 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y,F) -
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ECAD 6910 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP551 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 - RoHS 준수 해당사항 없음 TLP551(YF) EAR99 8541.49.8000 125 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 10% @ 16mA - 300ns, 1μs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고