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광신자 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (e 0.9000
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP627M (e 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS - 1000% @ 1ma 110µs, 30µs 1.2V
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Hitachi, F) -
RFQ
 ECAD 4572 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (hitachif) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP750(NEMIC-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (nemic-lf2, f -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP750 - 1 (무제한) 264-TLP750 (nemic-lf2f 귀 99 8541.49.8000 50
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GB-F6, f -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4GB-F6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-BLL, F) -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-BLLF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-LF7, f -
RFQ
 ECAD 7849 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (BL-LF7F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP734F(D4GRLF4,MF Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4GRLF4, MF -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP734 - 1 (무제한) 264-TLP734F (D4GRLF4MF 귀 99 8541.49.8000 50
TLP571(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP571 - 1 (무제한) 264-TLP571 (TP1F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Grl-T7, f -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (GRL-T7FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (DLT-HR, F) -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (DLT-HRF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 264-TLP626 (SANYDF) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 8µs, 8µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs, 8µs 400MV
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH, F) -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4-YHF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP631(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP631 - 1 (무제한) 264-TLP631 (BL-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Y-TP7, f -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (y-tp7ftr 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Y-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (Y-LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4FA-TPS, F) -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 트랜지스터 6-Sdip Gull Wing - 264-TLP719 (D4FA-TPSF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - 800ns, 800ns (최대) -
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPR, e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.25V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BL-TP7, f -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4BL-TP7FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLT7, f -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4BLT7FTR 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (M, F) -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP734 - 1 (무제한) 264-TLP734 (MF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP734F(GB-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (GB-LF4, M, F. -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP734 - 1 (무제한) 264-TLP734F (GB-LF4MF 귀 99 8541.49.8000 50
TLP785(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, f 0.2214
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C TLP785 DC 1 트랜지스터 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (GBF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (YG, F) -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP531 - 1 (무제한) 264-TLP531 (YGF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (TP7, F) -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (TP7F) TR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-TP1, f -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP731 - 1 (무제한) 264-TLP731 (D4-BL-TP1F 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (GRL-LF7F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 4N35 - 1 (무제한) 264-4N35 (Short-TP1F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP627 - 1 (무제한) 264-TLP627-2 (D4F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP631 - 1 (무제한) 264-TLP631 (GB-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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