SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP781F(YH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH-TP7,F) -
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ECAD 6978 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(YH-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832(TP,E 2.8100
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ECAD 6975 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 8-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 5.5V 8-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - 15ns, 8ns 1.4V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(TPL, SE 0.6000
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ECAD 9189 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GB-LF2,F) -
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ECAD 1145 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP632 - 1(무제한) 264-TLP632(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(GR-TPL,E 0.5600
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ECAD 2009년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP3065(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3065(S,C,F) -
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ECAD 6195 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - - - TLP3065 - - - - RoHS 준수 1(무제한) TLP3065(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP385(D4GR-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GR-TR,E 0.5600
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ECAD 3080 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP669LF(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF(D4,S,C,F) -
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ECAD 8098 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 6-DIP(0.400", 10.16mm), 5리드 TLP669 CSA, cUL, UL, VDE 1 조치액 6- 딥 다운로드 264-TLP669LF(D4SCF) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000Vrms 800V 100mA - - 10mA -
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4-TPR,E 0.8500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 10mA 20μs
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4,F -
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ECAD 7573 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(TPL,E 0.8300
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2303 DC 1 트랜지스터 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 80mA - 18V - 20mA 3750Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(TPL,F) -
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ECAD 4538 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP137 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP137(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(MAT,F) -
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ECAD 3433 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP552 - 1(무제한) 264-TLP552(MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(OGI-TL,F(O -
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ECAD 2489 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLX9291(OGI-TLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP550(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(화낙,F) -
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ECAD 6079 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550(FANUCF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(LF1,F) -
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ECAD 2723 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP2530 DC 2 껌이 있는 트랜지스터 8-SMD 다운로드 264-TLP2530(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 7% @ 16mA 30% @ 16mA 300ns, 500ns -
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR,F) -
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ECAD 8794 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(D4TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4TELS,F -
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ECAD 6633 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4TELSF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP108(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(TPL,F) -
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ECAD 7832 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP108 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-MFSOP, 5리드 다운로드 264-TLP108(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(와이지,에프) -
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ECAD 6694 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(YGF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF1,F) -
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ECAD 1402 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP631 - 1(무제한) 264-TLP631(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BLL-TP6,F -
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ECAD 3089 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-L-TPL,F -
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ECAD 3726 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-TP1,F) -
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ECAD 1860년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP358 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 8-SMD 다운로드 264-TLP358(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5A - 17ns, 17ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL-LF6,F -
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ECAD 2876 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-BL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-T7,F -
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ECAD 5839 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4Y-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5705H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4LF4,E 2.0100
보상요청
ECAD 3764 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200ns, 200ns
TLPN137(D4TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4TP1,S -
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ECAD 6732 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLPN137 - 1(무제한) 264-TLPN137(D4TP1STR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(ND-TL,F) -
보상요청
ECAD 9141 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104A(ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(E 0.5700
보상요청
ECAD 125 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP182 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고