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광신자 (3111)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
FODM3011R1_NF098 onsemi FODM3011R1_NF098 -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 500 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
HCPL4502V onsemi HCPL4502V -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL45 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
4N383SD onsemi 4N383SD -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N383SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 80V 1.15V 80 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 1V
FODM3022R1_NF098 onsemi FODM3022R1_NF098 -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
FOD4116SDV onsemi FOD4116SDV 5.4400
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4116 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
HCPL0453R2 onsemi HCPL0453R2 3.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0453 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
FOD817C onsemi FOD817C 0.4200
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
HCPL0639R2 onsemi HCPL0639R2 6.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0639 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 15 MA 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (() - 3750vrms 2/0 25kV/µs 75ns, 75ns
FOD060L onsemi FOD060L 3.2300
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD060 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
H11A8173S onsemi H11A8173S -
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A8173S-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
4N29300 onsemi 4N29300 -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N29 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N29300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
MOC8113 onsemi MOC8113 -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC811 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8113-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 14µs 70V 1.15V 90 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 4.2µs, 23µs 400MV
H11A53S onsemi H11A53S -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A53S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 30% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11N3FR2M onsemi H11n3fr2m -
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
4N26M onsemi 4N26m 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N26 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
H11AA2SD onsemi H11AA2SD -
RFQ
 ECAD 5741 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - - 400MV
FOD2741CV onsemi FOD2741CV -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD274 DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
MCT2E onsemi MCT2E -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 1.1µs, 50µs 400MV
4N35W onsemi 4N35W -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N35 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N35W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
4N28300 onsemi 4N28300 -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N28 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N28300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MOC208R2M onsemi MOC208R2M -
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC208 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC208R2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 70V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
H11N1S onsemi H11N1S -
RFQ
 ECAD 5480 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 - 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 5MHz - 1.4V 3.2MA 7500VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
H11B1300 onsemi H11B1300 -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
4N39W onsemi 4N39W -
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N39 ur 1 Scr 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N39W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 MA 5300VRMS 200 v 300 MA 1MA 아니요 500V/µs 30ma 50 대 (최대)
MOC3041FM onsemi MOC3041FM -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC304 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3041FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 400 v 400µA (() 예 - 15MA -
HCPL0701R2V onsemi HCPL0701R2V -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL07 DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 60ma - 18V 1.25V 20 MA 2500VRMS 500% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 300ns, 1.6µs -
H11A3TM onsemi H11A3TM -
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11A4SR2M onsemi H11A4SR2M -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A4SR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11D3W onsemi H11D3W -
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11D3W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 200V 1.15V 80 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
MOC80803SD onsemi MOC80803SD -
RFQ
 ECAD 1892 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC808 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC80803SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 3.5µs, 25µs 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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