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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
H11A1FR2M onsemi H11a1fr2m -
RFQ
ECAD 1785 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A1FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11L2300 onsemi H11L2300 -
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L DC 1 오픈 오픈 - 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz - - 10MA 5300VRMS 1/0 - -
FOD617C300 onsemi FOD617C300 -
RFQ
ECAD 4536 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
4N28300 onsemi 4N28300 -
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N28 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N28300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MOC8113300W onsemi MOC8113300W -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC811 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8113300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 14µs 70V 1.15V 90 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 4.2µs, 23µs 400MV
MOCD217R1VM onsemi MOCD217R1VM -
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MoCD21 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.05V 60 MA 2500VRMS 100% @ 1ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
FOD4116SDV onsemi FOD4116SDV 5.4400
RFQ
ECAD 998 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4116 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 10kV/µs 1.3ma 60µs
TIL117TVM onsemi TIL117TVM -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) TIL117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL117TVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 2µs 30V 1.2V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - 10µs, 10µs (최대) 400MV
HCPL2630SDVM onsemi HCPL2630SDVM 0.9596
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2630 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-smd - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30ma 2500VRMS 2/0 10kv/µs (타이핑) 75ns, 75ns
MOC208R2VM onsemi MOC208R2VM -
RFQ
ECAD 3767 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC208 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 70V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
FOD819S onsemi FOD819S 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD819 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 12µs, 20µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 100% @ 1.5ma 600% @ 1.5ma 18µs, 18µs 300MV
CNY171TM onsemi CNY171TM -
RFQ
ECAD 2640 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY171 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY171TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
FODM121CV onsemi FODM121CV -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
MCT5211W onsemi MCT5211W -
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT5 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT5211W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.25V 50 MA 5300VRMS 150% @ 1.6ma - 14µs, 2.5µs 400MV
FOD8143SD onsemi FOD8143SD 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
MOC8050300 onsemi MOC8050300 -
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC805 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8050300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 3.5µs, 95µs -
HMA121BR4V onsemi HMA121BR4V -
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 400MV
FODM121CR2V onsemi FODM121CR2V 0.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
HCPL0731R2 onsemi HCPL0731R2 3.1500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0731 DC 2 달링턴 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 60ma - 18V 1.35V 20 MA 2500VRMS 400% @ 500µa 5000% @ 500µa 300ns, 1.6µs -
H11B1300 onsemi H11B1300 -
RFQ
ECAD 8691 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
FOD617D300 onsemi FOD617D300 -
RFQ
ECAD 5084 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
CNW84S onsemi CNW84S -
RFQ
ECAD 6281 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNW84 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V - 100 MA 5900VRMS 0.63% @ 10ma 3.20% @ 10ma - 400MV
74OL6010W onsemi 74OL6010W -
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 온세미 Optologic ™ 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 74OL601 논리 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 40 MA 15MBD 50ns, 5ns - - 5300VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
FODM121AR1 onsemi FODM121AR1 -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400MV
MOC3163FR2M onsemi MOC3163FR2M -
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC316 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3163FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 600 v 500µA (() - 5MA -
CNX35US onsemi CNX35US -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNX35 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX35US-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 160% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
HCPL0531 onsemi HCPL0531 4.7900
RFQ
ECAD 190 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL05 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
HCPL2503 onsemi HCPL2503 -
RFQ
ECAD 1937 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL25 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 12% @ 16ma - 450ns, 300ns -
MOC3011FR2VM onsemi MOC3011FR2VM -
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC301 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3011FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 250 v 100µa (타이핑) 아니요 - 10MA -
MOC213R1M onsemi MOC213R1M -
RFQ
ECAD 5087 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC213 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC213R1M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고