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광신자 (3111)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
H11D3SD onsemi H11D3SD -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11D3SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 200V 1.15V 80 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
H11L3300W onsemi H11L3300W -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11L DC 1 오픈 오픈 - 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz - - 5MA 5300VRMS 1/0 - -
CNY174SR2VM onsemi CNY174SR2VM 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY174 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MCT2SR2VM onsemi MCT2SR2VM -
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2SR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 1.5µs 30V 1.25V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
MCT52103S onsemi MCT52103S -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT5 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT52103S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.25V 50 MA 5300VRMS 70% @ 3ma - 10µs, 400ns 400MV
HCPL0600V onsemi HCPL0600V -
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL06 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
4N32M onsemi 4N32m 0.7300
RFQ
 ECAD 631 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N32 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
FOD4208SDV onsemi FOD4208SDV 5.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4208 Cul, Fimko, UL, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 2MA 60µs
FODM3053R3V onsemi FODM3053R3V -
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 5MA -
H11AV1SVM onsemi H11AV1SVM -
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AV1SVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 300% @ 10ma 15µs, 15µs (최대) 400MV
CNY17F1W onsemi CNY17F1W -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY17F1W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
FOD4118SD onsemi FOD4118SD 4.4100
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4118 CSA, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
HMA121DR2V onsemi HMA121DR2V -
RFQ
 ECAD 7955 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 100% @ 5mA - 400MV
CNY171FVM onsemi CNY171FVM -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY171 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY171FVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
HMA121CR1 onsemi HMA121CR1 -
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
HCPL2631 onsemi HCPL2631 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL26 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30ma 2500VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
SL5501300W onsemi SL5501300W -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) SL5501 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL5501300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 25% @ 10ma 400% @ 10ma 20µs, 50µs (최대) 400MV
H11A817C300 onsemi H11A817C300 -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817C300-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
FODM3063R2 onsemi FODM3063R2 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 컬, ul 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.5V (최대) 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 예 600V/µs 5MA -
H11G1300 onsemi H11G1300 -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G1300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
4N28300W onsemi 4N28300W -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N28 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N28300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MOC213M onsemi MOC213M 0.7700
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC213 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
MOC3033SR2M onsemi MOC3033SR2M 1.3800
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC303 ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 MA 4170vrms 250 v 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
MOC8101300 onsemi MOC8101300 -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8101300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
4N273SD onsemi 4N273SD -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N27 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N273SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
FOD814A300W onsemi FOD814A300W 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
FODM3051R4 onsemi FODM3051R4 -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
H11C1W onsemi H11C1W -
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11C ur 1 Scr 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11C1W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 200 v 300 MA - 아니요 500V/µs 20MA -
6N137WV onsemi 6N137WV -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) 6N137 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50ma 2500VRMS 1/0 10kv/µs (타이핑) 75ns, 75ns
MOC8100SR2VM onsemi MOC8100SR2VM -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8100SR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 2µs 30V 1.2V 60 MA 7500VPK 30% @ 1ma - 20µs, 20µs (최대) 500MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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