SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
CNY174SVM onsemi CNY174SVM 0.3156
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY174 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
H11AA814A300W onsemi H11AA814A300W -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA814A300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
FODM3011R4 onsemi FODM3011R4 -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
4N25SR2VM onsemi 4N25SR2VM 0.8800
RFQ
ECAD 975 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N25 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MOC8106300W onsemi MOC8106300W -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8106300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 150% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOC81073S onsemi MOC81073S -
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC81073S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.15V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 300% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
HCPL0600R2 onsemi HCPL0600R2 3.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0600 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FODM121FR2 onsemi FODM121FR2 -
RFQ
ECAD 9376 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
TIL111S onsemi TIL111S -
RFQ
ECAD 2567 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 TIL111 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL111S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 2MA 10µs, 10µs (최대) 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS - - - 400MV
MOC8112 onsemi MOC8112 -
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC811 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8112-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 14µs 70V 1.15V 90 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 4.2µs, 23µs 400MV
H11B815300 onsemi H11B815300 -
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11B DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B815300-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 80ma 300µs, 250µs (최대) 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
FOD250LSD onsemi FOD250LSD -
RFQ
ECAD 6124 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD250 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 7V 1.45V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma 50% @ 16ma 1µs, 1µs (최대) -
MOC3073SM onsemi MOC3073SM 1.7800
RFQ
ECAD 496 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC307 ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.18V 60 MA 4170vrms 800 v 540µA (µ) 아니요 1kv/µs 6MA -
FOD2741CSDV onsemi FOD2741CSDV -
RFQ
ECAD 6606 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD274 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
H11AG13SD onsemi H11AG13SD -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG13SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 100% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
MOC8113M onsemi MOC8113M -
RFQ
ECAD 5056 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC811 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 14µs 70V 1.15V 90 MA 7500VPK 100% @ 10ma - 4.2µs, 23µs 400MV
MCT623SD onsemi MCT623SD 1.6700
RFQ
ECAD 950 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 MCT623 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA - 2.4µs, 2.4µs 400MV
H11L1M onsemi H11L1M 1.1500
RFQ
ECAD 47 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L1 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
H11L3VM onsemi H11L3VM 1.7100
RFQ
ECAD 234 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L3 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
H11N3SR2M onsemi H11N3SR2M -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
MOC3051SVM onsemi MOC3051SVM -
RFQ
ECAD 1995 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC305 ur, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3051SVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 4170vrms 600 v 220µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
4N313SD onsemi 4N313SD -
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N31 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N313SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1.2V
MOC3051SR2VM onsemi MOC3051SR2VM 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC305 ur, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 4170vrms 600 v 220µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
HCPL2631WV onsemi HCPL2631WV -
RFQ
ECAD 2531 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCPL2631 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-mdip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30ma 2500VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
4N32M onsemi 4N32m 0.7300
RFQ
ECAD 631 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N32 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V
FOD270LT onsemi FOD270LT -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD270 DC 1 베이스와 베이스와 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 7V 1.35V 20 MA 5000VRMS 400% @ 500µa 7000% @ 500µa 3µs, 50µs -
MOC216VM onsemi MOC216VM -
RFQ
ECAD 6416 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC216 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.07V 60 MA 2500VRMS 50% @ 1ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
H11A817ASD onsemi H11A817ASD -
RFQ
ECAD 9880 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817ASD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
HMA124R3 onsemi HMA124R3 -
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA124 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 1200% @ 1ma - 400MV
MOCD223M onsemi MOCD223M 1.3600
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MoCD223 DC 2 달링턴 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma 8µs, 110µs 30V 1.25V 60 MA 2500VRMS 500% @ 1ma - 10µs, 125µs 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고