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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
H11AV1FM onsemi H11av1fm -
RFQ
 ECAD 7494 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AV1FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 300% @ 10ma 15µs, 15µs (최대) 400MV
EL827S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL827S1 (TA) 0.9200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 EL827 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
MOC213VM onsemi MOC213VM 0.7800
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC213 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
FODM217C onsemi FODM217C 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 FODM217 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PS2765-1-F3-A CEL PS2765-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2765-1AT 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
SFH1690CT Vishay Semiconductor Opto Division SFH1690CT 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH1690 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 5µs, 3µs 400MV
CNY64ABST Vishay Semiconductor Opto Division CNY64ABST 3.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 CNY64 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 400 50ma 2.4µs, 2.7µs 32V 1.32V 75 MA 8200VRMS 80% @ 5mA 240% @ 5mA 5µs, 3µs 300MV
TCET1101G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1101G 0.5500
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TCET1101 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
NTE3040 NTE Electronics, Inc NTE3040 2.1700
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE3040 귀 99 8541.49.8000 1 - - 30V 1.18V 100 MA 7500vac 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
H11G23S onsemi H11G23S -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G23S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
EL3H7(C)(EB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (C) (EB) -VG -
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
MCA231-X009 Vishay Semiconductor Opto Division MCA231-X009 -
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCA23 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 30V 1.1V 60 MA 5300VRMS 200% @ 10ma - 10µs, 30µs 1V
HCPL2530SM onsemi HCPL2530SM 2.8600
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2530 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
H11B13SD onsemi H11B13SD -
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B13SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
HCPL-5730#300 Broadcom Limited HCPL-5730#300 102.9208
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 HCPL-5730 DC 2 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
EL817(S)(B)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (B) (TB) -
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
EL1117(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL1117 (TA) -G -
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
CNX38U3SD onsemi CNX38U3SD -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNX38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX38U3SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 80V 1.15V 100 MA 5300VRMS 70% @ 10ma 210% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
SFH6206-3T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6206-3T 1.0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6206 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
PC81712NSZ0F Sharp Microelectronics PC81712NSZ0F -
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 다운로드 1 (무제한) 425-2181-5 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 160% @ 500µa 400% @ 500µa - 200MV
SFH628A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH628A-3X001 1.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH628 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 50 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 320% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
PS2562L-1-A Renesas Electronics America Inc PS2562L-1-A -
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 예비의 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 200ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma - - 1V
CNC1S171S Panasonic Electronic Components CNC1S171S -
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNC1S171 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.35V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
H11D2-X007 Vishay Semiconductor Opto Division H11D2-X007 0.6576
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma 2.5µs, 5.5µs 300V 1.1V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 6µs 400MV
PS2815-4 CEL PS2815-4 -
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 4 트랜지스터 16-SSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS28154 귀 99 8541.49.8000 45 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
PS2845-4A-A CEL PS2845-4A-A -
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 12-SOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 4 트랜지스터 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2845-4AA 귀 99 8541.49.8000 20 20MA 20µs, 110µs 70V 1.1V 20 MA 1500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
PS2802-1-F3-K-A CEL PS2802-1-F3-KA -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 90ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 2000% @ 1ma - - 1V
HMHA2801R3 onsemi HMHA2801R3 -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA28 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
TLP785(D4YH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-T6, f 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
MOC212R2VM onsemi MOC212R2VM -
RFQ
 ECAD 3532 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC212 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 50% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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