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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
H11B1SR2M onsemi H11B1SR2M 0.9900
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B1 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 500% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
CNY17F43S onsemi CNY17F43S -
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY17F43S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
4N28S onsemi 4N28S -
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N28 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N28S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
6N136WV onsemi 6N136WV -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
PC81718NIP0X Sharp Microelectronics PC81718NIP0X -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 120% @ 500µa 500% @ 500µa - 200MV
5962-0822701KPA Broadcom Limited 5962-0822701KPA 631.8867
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-0822701 DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
6N136SV onsemi 6N136SV -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 500ns -
HCPL3700 onsemi HCPL3700 5.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL37 AC, DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 HCPL3700-NDR 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 45µs, 0.5µs 20V - 2500VRMS - - 6µs, 25µs -
PC6N139X Sharp Microelectronics PC6N139X -
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 425-1801-5 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.5V 20 MA 2500VRMS 400% @ 500µa - 300ns, 1.5µs -
CNY117-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-2x007t 0.2997
RFQ
 ECAD 2997 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
CNY173FR2VM onsemi CNY173FR2VM -
RFQ
 ECAD 9996 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY173FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 7500VPK 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
CNY17F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3 0.6800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17F DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
LTV-205 Lite-On Inc. LTV-205 -
RFQ
 ECAD 1321 0.00000000 Lite-On Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 트랜지스터 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 80V 1.2V 30 MA 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 5µs, 4µs 400MV
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902 (TPR, U, F) 1.0712
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP3902 DC 1 태양 태양 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 5A991 8541.49.8000 3,000 5µA - 7V 1.15V 50 MA 2500VRMS - - 600µs, 2ms -
PS8502-AX Renesas Electronics America Inc PS8502-AX 3.3300
RFQ
 ECAD 456 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) PS8502 DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1207 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 35V 1.7V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 220ns, 350ns -
H11A1FR2VM onsemi H11a1fr2vm -
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A1FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
K817P3 Vishay Semiconductor Opto Division K817p3 -
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) K817 DC 1 트랜지스터 4-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
PS2561AL1-1-V-D-A CEL PS2561AL1-1-VDA -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
LTV-824S-TA Lite-On Inc. LTV-824S-TA 0.2515
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 LTV-824 AC, DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) LTV824STA 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
4N29S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N29S (TA) -V -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150012 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
4N37SR2M onsemi 4N37SR2M 0.7200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N37 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, e 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
6N139W onsemi 6N139W -
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6N139W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.3V 20 MA 2500VRMS 500% @ 1.6ma - 1.5µs, 7µs -
ILQ2-X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X001 2.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ2 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1.2µs, 2.3µs 400MV
HCPL-2530#300 Broadcom Limited HCPL-2530#300 -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 1.3µs -
ACPL-1770L Broadcom Limited ACPL-1770L 93.4433
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) ACPL-1770 DC 4 달링턴 16-CDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
VOL617A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-3X001T 0.5000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 Vol617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3.5µs, 5µs 80V 1.16V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 6µs, 5.5µs 400MV
MOC8106W onsemi moc8106w -
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8106W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 150% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
PC3Q510NIP0F Sharp Microelectronics PC3Q510NIP0F -
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 4 달링턴 16- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 10 MA 2500VRMS 600% @ 500µa - - 1V
FOD8143S onsemi FOD8143S 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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