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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
SL5500300 onsemi SL5500300 -
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) SL55 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL5500300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 300% @ 10ma 20µs, 50µs (최대) 400MV
H11AA3SR2M onsemi H11AA3SR2M -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - - 400MV
FOD2741ASD onsemi FOD2741ASD 1.9200
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2741 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
TCET1201 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1201 0.1746
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TCET1201 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
VOS618AT Vishay Semiconductor Opto Division VOS618AT 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) VOS618 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 7µs 80V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 1ma 600% @ 1ma 5µs, 8µs 400MV
PC3H3J00000F SHARP/Socle Technology PC3H3J00000F -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 20% @ 1ma 400% @ 1ma - 200MV
CNY17F33S onsemi CNY17F33S -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY17F33S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
MOC8105300W onsemi MOC8105300W -
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8105300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 65% @ 10ma 133% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
CNX83AW onsemi CNX83AW -
RFQ
 ECAD 6596 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNX83 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX83AW-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 50V 1.2V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 250% @ 10ma 3µs, 3µs 400MV
4N33-X017 Vishay Semiconductor Opto Division 4N33-X017 -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N33 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma - 30V 1.25V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V (유형)
PS8601L-A CEL PS8601L-A -
RFQ
 ECAD 7030 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 35V 1.7V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 500ns, 300ns -
H11A1FM onsemi H11a1fm -
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A1FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11A2SD onsemi H11A2SD -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
H11B3 Everlight Electronics Co Ltd H11B3 -
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
SFH615A-3XSM Isocom Components 2004 LTD SFH615A-3XSM 0.6400
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH615 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 14µs 70V 1.65V (() 50 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4.2µs, 23µs 400MV
PC123XNYIP1B SHARP/Socle Technology PC123XNYIP1B -
RFQ
 ECAD 3932 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 6,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS - - - 200MV
H11F2SD onsemi H11F2SD -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11F DC 1 MOSFET 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11F2SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 MA 5300VRMS - - 25µs, 25µs (최대) -
FOD814A300 onsemi FOD814A300 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
PS2711-1-F3-M-A Renesas Electronics America Inc PS2711-1-F3-MA -
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2711 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1464-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 200% @ 1ma - 300MV
CNY173SR2M onsemi CNY173SR2M 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
EL816(S1)(D)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (D) (TD) -
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
HMA121AR2 onsemi HMA121AR2 -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400MV
IL203 Vishay Semiconductor Opto Division IL203 -
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) IL203 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 - - 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 225% @ 10ma 450% @ 10ma - 400MV
6N1135-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 6N1135-X006 -
RFQ
 ECAD 2820 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) 6N1135 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 15V 1.6V 25 MA 5300VRMS 7% @ 16ma - 300ns, 300ns -
H11A4X Isocom Components 2004 LTD H11A4X 0.1844
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11A4 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 2µs, 2µs 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - - 400MV
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (Gr, Se 0.5100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) TLP290 (Grse 귀 99 8541.49.8000 175 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
4N31S Fairchild Semiconductor 4N31S -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,314 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1.2V
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (SE 0.5100
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 175 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
H11AA4TVM onsemi H11AA4TVM 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11aa AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - - 400MV
SFH615AGR Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGR 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 2µs, 25µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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