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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
PC123X2YUP0F SHARP/Socle Technology PC123X2YUP0F -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 250% @ 5mA - 200MV
JANTXV4N47 TT Electronics/Optek Technology jantxv4n47 30.3491
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 jantxv4 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 365-1965 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 20µs, 20µs (최대) 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 50% @ 1ma - - 300MV
SFH6319 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6319 -
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 Vishay to Opto Division SFH6319 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC - 영향을받지 영향을받지 751-SFH6319 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.28V 20 MA 4000VRMS 500% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma - -
HCPL4502 Fairchild Semiconductor HCPL4502 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
TLP785F(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-YH, f -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4-YHF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
SFH610A-1X018T Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-1x018T 0.4111
RFQ
 ECAD 4658 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH610 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP781F(D4-GR,F,W) Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4-gr, f, w) -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-GRFW) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
IS181 Isocom Components 2004 LTD IS181 -
RFQ
 ECAD 6234 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 5009-IS181TR 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA -
PS2501L-2-E4-A CEL PS2501L-2-E4-A -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 PS2501 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
140107146000 Würth Elektronik 140107146000 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 6µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
FOD817BSD Fairchild Semiconductor FOD817BSD 1.0000
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
FOD2741CSDV Fairchild Semiconductor FOD2741CSDV -
RFQ
 ECAD 9605 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 452 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
EL1010(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1010 (TB) -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1010 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 4µs, 3µs 300MV
EL3H7(B)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (B) (TB) -G 0.1940
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903H70009 귀 99 8541.49.8000 5,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
VO610A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-3X007T 0.4700
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO610 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
TLP127(PSE-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (PSE-TPL, U, f -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4 리드 - 1 (무제한) 264-TLP127 (PSE-TPLUFTR 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
H11D2VM onsemi H11D2VM -
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 300V 1.15V 80 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
CNY17F-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-2x017T 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
ASSR-V622-002E Broadcom Limited ASSR-V622-002E 2.5424
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ASSR-V622 DC 2 태양 태양 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 20µA - 7V 1.3V 30 MA 3750vrms - - 280µs, 30µs -
ACNT-H50L-000E Broadcom Limited ACNT-H50L-000E 5.2600
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.535 ", 13.60mm 너비) ACNT-H50 DC 1 트랜지스터 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-3297 귀 99 8541.49.8000 80 8ma - 24V 1.45V 20 MA 7500VRMS 31% @ 12ma 80% @ 12ma 800ns, 1µs -
EL817(S)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (TB) -V -
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP750 - 1 (무제한) 264-TLP750 (D4-O-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
TCET1107 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1107 0.5500
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TCET1107 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
140817144000 Würth Elektronik 140817144000 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-DIP-SLM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
EL1014(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1014 (TB) -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1014 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 4µs, 3µs 300MV
HCPL2731SDV onsemi HCPL2731SDV -
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL27 DC 2 달링턴 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.3V 20 MA 2500VRMS 500% @ 1.6ma - 300ns, 5µs -
140817143400 Würth Elektronik 140817143400 0.2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-DIP-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
VO615A-5X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-5X009T 0.1298
RFQ
 ECAD 3798 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP120 AC, DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP120 (GBF) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PS2561DL2-1Y-V-E3-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL2-1Y-V-E3-A 1.0000
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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