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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
H11G2SM onsemi H11G2SM 1.0100
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11g2 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 80V 1.3V 60 MA 4170vrms 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
SFH617A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X017T 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH617 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 500µa 600% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (TP, e 1.6300
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
SFH6186-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6186 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
FODM121C onsemi FODM121C 0.7100
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1990-FODM121C 귀 99 8541.49.8000 100 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
HCPL-2502-300E Broadcom Limited HCPL-2502-300E 1.1384
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2502 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 15% @ 16ma 22% @ 16MA 200ns, 600ns -
H11A817B3S Fairchild Semiconductor H11A817B3S -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
PS2561BL-1-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL-1-QA -
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1309 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 40 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 300MV
ILQ621GB-X017 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621GB-X017 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ621 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
ACPL-827-300E Broadcom Limited ACPL-827-300E 1.0600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ACPL-827 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
RFQ
 ECAD 5340 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.35V 50 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
PS2566L1-1-V-A CEL PS2566L1-1-VA -
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) AC, DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 200ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma - - 1V
PC851XNNIP9F SHARP/Socle Technology PC851XNNIP9F 0.2240
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 날카로운/기술 소셜 PC851 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 50ma 4µs, 5µs 350V 1.2V 50 MA 5000VRMS 40% @ 5mA - - 300MV
PS2561-1-V-W-A CEL PS2561-1-VWA -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
EL816(S)(A)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S) (A) (TB) -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
CNY17F1TVM onsemi CNY17F1TVM 0.7600
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17F1 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
CNY17-3-300E Broadcom Limited CNY17-3-300E 0.2103
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 300MV
SFH615AA-X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AA-X006 -
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 2µs, 25µs 400MV
PS2501AL-1-F3-A Renesas PS2501AL-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 Renesas - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 2156-PS2501AL-1-F3-A 1 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
TLP385(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (Grh, e 0.5500
RFQ
 ECAD 2485 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP385 (GRHE 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
PS2911-1-V-F3-L-A CEL PS2911-1-V-F3-LA -
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 5µs, 10µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 150% @ 1ma 300% @ 1ma 40µs, 120µs 300MV
LTV-725VS-TA1 Lite-On Inc. LTV-725VS-TA1 0.3931
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-725V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 LTV-725 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
HMA124R4V onsemi HMA124R4V -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA124 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 1200% @ 1ma - 400MV
EL3H4(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H4 (TB) -G -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H4 AC, DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 5,000 - 6µs, 8µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
HCPL2731M onsemi HCPL2731M 2.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL2731 DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - - -
OPI120 TT Electronics/Optek Technology OPI120 12.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 축 -5 리드 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 - 2µs, 2µs 25V 1.5V (최대) 150 MA 15000VDC 20% @ 10ma - - 500MV
MCT5210SM onsemi MCT5210SM 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT5210 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 150ma - 30V 1.25V 50 MA 4170vrms 70% @ 3ma - 10µs, 400ns 400MV
HCPL2531SM Fairchild Semiconductor HCPL2531SM 1.2200
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 246 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
SFH610A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-2 1.0400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH610 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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