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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
PS2381-1Y-AX Renesas PS2381-1Y-AX -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Renesas - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 115 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-LSOP (2.54mm) - 2156-PS2381-1Y-AX 1 50ma 4µs, 5µs 80V 1.1V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS2501L-1-K-A Renesas Electronics America Inc PS2501L-1-KA -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1006 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
140356145300 Würth Elektronik 140356145300 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 80V 1.24V 60 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
TIL189-4 Texas Instruments TIL189-4 0.3300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 919
ACPL-M49U-500E Broadcom Limited ACPL-M49U-500E 1.3651
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M49 DC 1 트랜지스터 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.5V 20 MA 3750vrms 32% @ 10ma 80% @ 10ma 20µs, 20µs (최대) -
TLP781(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL, F) -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4-GRLF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
FOD852300 onsemi FOD852300 1.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD852 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
HCPL-270L-500E Broadcom Limited HCPL-270L-500E 0.8031
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-270 DC 1 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 7V 1.5V 20 MA 3750vrms 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 25µs, 50µs -
OPIA409CTU TT Electronics/Optek Technology OPIA409CTU -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4-SSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 365-1425 귀 99 8541.49.8000 170 60ma 40µs, 10µs 300V 1.2V 50 MA 2500VRMS 400% @ 1ma - - 1V
FOD817C3S Fairchild Semiconductor FOD817C3S -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
SFH6106-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3X001 0.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
ORPC-814SA-TP-C-G-(GK) Shenzhen Orient Components Co., Ltd ORPC-814SA-TP-CG- (GK) 0.5100
RFQ
 ECAD 6855 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2,000
PS2581L2-W-A Renesas Electronics America Inc PS2581L2-WA -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2581 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1412 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
EL816(S)(X)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd el816 (s) (x) (td) -v -
RFQ
 ECAD 4275 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 200MV
OLH7000SB Skyworks Solutions Inc. OLH7000SB -
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. - 대부분 쓸모없는 OLH7000 - 863-OLH7000SB 귀 99 8541.49.8000 1
TLP120(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP120 AC, DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP120 (GB-TPLF) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
MOC205R1M Fairchild Semiconductor MOC205R1M 0.1800
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
FOD2741BS Fairchild Semiconductor FOD2741BS 0.6700
RFQ
 ECAD 818 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 448 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
FODM214 onsemi FODM214 0.7400
RFQ
 ECAD 674 0.00000000 온세미 FODM214 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM214 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 20% @ 1ma 400% @ 1ma 3µs, 3µs 400MV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KMGBTL, F (O. -
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLX9185 DC 1 트랜지스터 6-SOP - 264-TLX9185 (KMGBTLF (o 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 3µs, 5µs 80V 1.27V 30 MA 3750vrms 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5µs, 5µs 400MV
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, e 0.9300
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 150ma 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma - 110µs, 30µs 1.2V
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (LF6, F) -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
EL1110-G Everlight Electronics Co Ltd EL1110-G -
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1110 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP731 - 1 (무제한) 264-TLP731 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
HCPL0730R2 Fairchild Semiconductor HCPL0730R2 1.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 달링턴 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,500 60ma - 7V 1.35V 20 MA 2500VRMS 300% @ 1.6ma 5000% @ 1.6ma 2µs, 7µs -
OR-100 HVM Technology, Inc. OR-100 86.1100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 HVM Technology, Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP 모듈 DC 1 - - - 1 (무제한) 2244- 또는 100 귀 99 8541.49.8000 5 - - - 4V 100 MA 10000VDC - - 2µs, 2µs -
4N38TVM Fairchild Semiconductor 4N38TVM 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1,311 100ma - 80V 1.15V 80 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 1V
VOM617A-6T Vishay Semiconductor Opto Division VOM617A-6T 0.5700
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, e 3.3700
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP3910 DC 2 태양 태양 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3v 30 MA 5000VRMS - - 300µs, 100µs -
HCNW135-300E Broadcom Limited HCNW135-300E 1.0127
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCNW135 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 8ma - 20V 1.68V 25 MA 5000VRMS 5% @ 16ma - 2µs, 2µs (최대) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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