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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
ACPL-5701L-300 Broadcom Limited ACPL-5701L-300 105.3161
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 ACPL-5701 DC 1 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
H11A1M-V Everlight Electronics Co Ltd H11A1M-V 0.3947
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11A1 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171107 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
EL817S(D)(TA)(CIS)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817S (D) (TA) (CIS) -G 0.1165
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL817 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 1080 -EL817S (D) (TA) (CIS) -GTR 귀 99 8541.41.0000 1,000 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
EL4502S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL4502S1 (TA) 0.7503
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 EL4502 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C170000069 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 350ns, 300ns -
ACPL-827-W0BE Broadcom Limited ACPL-827-W0BE 0.3395
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) ACPL-827 DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (F) -
RFQ
 ECAD 7108 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP552 - 1 (무제한) 264-TLP552 (F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781 (d4grl-lf6, f -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4GRL-LF6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, f -
RFQ
 ECAD 1379 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4-GBF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HMA121R1 Fairchild Semiconductor HMA121R1 0.0900
RFQ
 ECAD 7781 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 3,001 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
MOC205M Fairchild Semiconductor MOC205M 0.2300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1,326 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
4N28S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N28S (TA) -V -
RFQ
 ECAD 2117 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172808 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
PS2915-1-F3-AX CEL PS2915-1-F3-AX -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 5µs, 10µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma 40µs, 120µs 300MV
ILD55 Vishay Semiconductor Opto Division ild55 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ild55 DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 125MA 10µs, 35µs 55V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - - 1V
EL816(S1)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (TB) -V -
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
ACPL-573KL-200 Broadcom Limited ACPL-573KL-200 730.5983
RFQ
 ECAD 2997 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) ACPL-573 DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
PS2561AL-1-F3-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-F3-QA -
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1276-2 귀 99 8541.49.8000 2,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 300MV
OR-4N35S-TA1 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-4N35S-TA1 0.5600
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000
ILQ2-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X009 2.9000
RFQ
 ECAD 488 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ2 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-ILQ2-X009TR 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1.2µs, 2.3µs 400MV
EL816(S1)(X)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (X) (TA) -
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 200MV
HMA124R3V onsemi HMA124R3V -
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA124 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 1200% @ 1ma - 400MV
PC357N7J000F SHARP/Socle Technology PC357N7J000F -
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (YH-LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PC814X1CSZ9F SHARP/Socle Technology PC814X1CSZ9F 0.0940
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 날카로운/기술 소셜 PC814X 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP - rohs 준수 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 100 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
SFH615A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X016 0.9900
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (Gr, e 0.5500
RFQ
 ECAD 2588 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP385 (GRE 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
H11D1SR2VM onsemi H11D1SR2VM 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11D1 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 300V 1.15V 80 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
PS8902-Y-V-AX Renesas Electronics America Inc PS8902-YV-AX 10.5500
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 조각 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.543 ", 13.80mm 너비) PS8902 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-LSDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 10 8ma - 35V 1.65V 25 MA 7500VRMS 15% @ 16ma 35% @ 16ma - -
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BLL-TP, E) -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300MV
HCPL-4562#060 Broadcom Limited HCPL-4562#060 -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.3V 12 MA 3750vrms - - - -
HCPL-250L-500E Broadcom Limited HCPL-250L-500E 0.7652
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-250 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 7V 1.5V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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