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통합 통합 (ICS) (5)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IVCR1407SR | 1.5700 |  | 14 | 0.00000000 | Inventchip | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | IVCR1407 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 20V | SOT-23-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 하나의 | 낮은 낮은 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | - | 4a, 4a | 6ns, 6ns | ||
 | IVCR2401DPR | 1.5700 | | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | IVCR2401 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 20V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 1.7V, 1.6V | 4a, 4a | 13ns, 13ns | ||
 | IVCR2405DR | 3.3700 | | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IVCR2405 | 반전, 반전 비 | 확인되지 확인되지 | 4.5V ~ 20V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 4084-IVCR2405DRDKR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | IGBT, N-, MOSFET | - | 4a, 4a | 6ns, 6ns | |
 | IVCR1401DPR | 2.8100 | | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | IVCR1401 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 19V ~ 25V | 8-SOIC-EP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, SIC MOSFET | 1.7V, 1.6V | 4a, 4a | 13ns, 13ns | ||
 | IVCR1401DR | 2.6600 | | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IVCR1401 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 19V ~ 25V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | IGBT, SIC MOSFET | 1.7V, 1.6V | 4a, 4a | 13ns, 13ns |
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