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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
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IXRFDSM607X2 | - | ![]() | 9959 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 16-smd | IXRFDSM607 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | 하나의 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 15a, 15a | 4NS, 4NS | |||||
![]() | IXRFD615X2 | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | IXRFD615 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | 8-smd | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 30 | 독립적인 | 낮은 낮은 | 2 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 15a, 15a | 4NS, 4NS | ||||
![]() | IXRFD630 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 | IXRFD630 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 30 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30A, 30A | 4NS, 4NS | ||
![]() | IXZ631DF18N50 | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-smd,, 리드 | IXZ631 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | 10-smd | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 20 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 95a, 95a | 3.4ns, 1.65ns | 500 v | |||
![]() | IXRFD615 | - | ![]() | 6946 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | IXRFD615 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | 6-SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 30 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 15a, 15a | 4NS, 4NS | ||||
![]() | IXZ631DF12N100 | - | ![]() | 6188 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-smd,, 리드 | IXZ631 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | 10-smd | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 20 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 72a, 72a | 2.4ns, 1.55ns | 1000 v | |||
IXRFD631-NRF | - | ![]() | 4040 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 | IXRFD631 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 8V ~ 18V | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 30 | 하나의 | 낮은 낮은 | 1 | n-채널, p 채널 MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30A, 30A | 4NS, 4NS |
일일 평균 RFQ 볼륨
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