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통합 통합 (ICS) (524)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	기술	전압- 최대 (입력)	출력 출력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 - 채널 / 출력	전압- v (VCC/VDD)	인터페이스	전원 (와트)	출력 출력	현재 -Quiescent (iq)	출력 출력	내부 내부	전압 - 고장	토폴로지	전압 - 시작	듀티 듀티	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	로드로드	RDS ON (TYP)	전류 - 출력 피크	전압 - 하중	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
STR-A6151M	3.1500	RFQ	467	산켄	STR-A6100	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm), 7 개의 리드		STR-A6151					8-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		STR-A6151M DK	귀 99	8542.39.0001	2,500			10V ~ 35V		15 w			외딴	예	650V	플라이백	17.5 v	-	-	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	-
SPI-8010A	-	RFQ	7872	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드				50V	조절할 조절할있는		16 마일	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,400	뿌리 뿌리					1					책임			250kHz			긍정적인	아니요	3A								1V	14V	8V
SI-8033JD-TL	-	RFQ	7731	산켄	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA		SI-8033		40V	결정된		TO-263-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,600	뿌리 뿌리					1					책임			125kHz			긍정적인	아니요	1.5A								3.3v	-	6.3V
SMA2404M	8.8982	RFQ	9530	산켄	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 150 ° C	범용	구멍을 구멍을	15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드	-		MOSFET			15V	15-sip	다운로드	rohs 준수			1261-SMA2404m			180		7a		-											-		하프 하프 (2)			-	1ohm	-	-
SLA7083ms	-	RFQ	3764	산켄	SLA7080ms	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	구멍을 구멍을	23-ESIP 형성 ip			MOSFET			3V ~ 5.5V	23-zip (SLA)	다운로드	rohs 준수			1261-SLA7083ms			180	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한													하프 하프 (2)		3A				10V ~ 44V	단극	-	1, 1/2
NR421A	1.5600	RFQ	50	산켄	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드				18V	조절할 조절할있는		8 시간	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1261-NR421ACT			4,000	뿌리 뿌리					1					책임			350kHz			긍정적인	예	3A								0.8V	14V	4.5V
SI-8090S	1.6800	RFQ	67	산켄	-	튜브	쓸모없는	-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드				40V	결정된		TO-220F-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SI-8090S DK	귀 99	8542.39.0001	50	뿌리 뿌리					1					책임			60kHz			긍정적인	아니요	3A								9V	-	12V
str3a153d	-	RFQ	8103	산켄	str3a100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		str3a153					8-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		str3a153d dk	귀 99	8542.39.0001	2,500			8.1V ~ 32V		53 w			외딴	예	650V	플라이백	15.3 v	74%	67kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	-
SLA7083MPR	10.7000	RFQ	300	산켄	-	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	구멍을 구멍을	23-ESIP 형성 ip		SLA7083	MOSFET			3V ~ 5.5V	23-zip (SLA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SLA7083MPR DK	귀 99	8542.39.0001	18	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한													하프 하프 (2)		3A				10V ~ 44V	단극	-	1, 1/2
STR-W6765	-	RFQ	3073	산켄	STR-W6700	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-220-6 6 팩, 형성 된 리드		STR-W6765					TO-220F-6L	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		STR-W6765 DK	귀 99	8542.39.0001	300			9.7V ~ 35V		110 W.			외딴	예	800V	플라이백	18.2 v	-	19kHz ~ 25kHz	전류 전류, 제한 하중, 과도한 전압	소프트 소프트
STR-W6252D	-	RFQ	2691	산켄	STR-W6200	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-220-6 6 팩, 형성 된 리드		STR-W6252					TO-220F-6L	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		STR-W6252D DK	귀 99	8542.39.0001	300			8.9V ~ 18V		60 W.			외딴	예	650V	플라이백	15.5 v	75%	60kHz ~ 74kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	-
SLA7072MPRT	-	RFQ	1420	산켄	-	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	범용	구멍을 구멍을	23-ESIP 형성 ip		SLA7072	MOSFET			3V ~ 5.5V	23-zip (SLA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	180	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한													낮은면 (4)		2A				10V ~ 44V	단극	-	1, 1/2
SI-3033ZD-TL	1.8600	RFQ	7460	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 100 ° C		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA		SI-3033		6V	결정된		TO-263-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	800							1.5 MA									할 할있게 수	긍정적인		3A								3.3v	-		1	0.6V @ 3A	60dB (100Hz ~ 120Hz)	현재, 이상 온도
SI-8205NHD	-	RFQ	2496	산켄	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드		SI-8205		43V	조절할 조절할있는		8 시간	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SI-8205NHD DK	귀 99	8542.39.0001	1,000	뿌리 뿌리					1					책임			200kHz ~ 1MHz			긍정적인	예	3A								0.5V	24V	8V
SLA6870MZ	-	RFQ	8840	산켄	-	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	홈 홈	구멍을 구멍을	24-SSIP 형성 ip		SLA6870	MOSFET			13.5V ~ 16.5V	24-zip LF2171	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SLA6870MZ DK	귀 99	8542.39.0001	540	운전사			논리													하프 하프 (3)		3A				500V (최대)	-	DC (BLDC)	-
str5a451d	3.2500	RFQ	50	산켄	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		str5a451					8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1261-str5a451d	귀 99	8542.39.0001	50			8V ~ 32V					비 비	예	650V	책임	29 v	62%	60kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	소프트 소프트
str3a154d	-	RFQ	4605	산켄	str3a100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		str3a154					8-DIP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		str3a154d dk	귀 99	8542.39.0001	1,000			8.1V ~ 32V		60 W.			외딴	예	650V	플라이백	15.3 v	74%	67kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	-
SI-8005Q	-	RFQ	6101	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드		SI-8005		28V	조절할 조절할있는		8 시간	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SI-8005Q DK	귀 99	8542.39.0001	1,000	뿌리 뿌리					1					책임			500kHz			긍정적인	예	3.5a								0.5V	24V	4.75V
STR-W6072S	-	RFQ	5651	산켄	STR-W6000	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드		STR-W6072					TO-220-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		STR-W6072S DK	귀 99	8542.39.0001	300			8.1V ~ 32V		50 W.			외딴	예	800V	플라이백	15.3 v	71%	60kHz ~ 74kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	-
SLA7026M	-	RFQ	8466	산켄	-	튜브	활동적인	-	범용	구멍을 구멍을	18-SSIP 형성 ip		SLA7026	MOSFET			10V ~ 44V	18- 지퍼	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SLA7026M DK	귀 99	8542.39.0001	18	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한													하프 하프 (2)		3A				10V ~ 44V	단극	-	1, 1/2
SMA6865MZ-LF2451	5.4100	RFQ	79	산켄	-	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	홈 홈	구멍을 구멍을	24-SSIP 형성 ip		SMA6865	MOSFET			20V	24-SIP, LF2451	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SMA6865MZ-LF2451 DK	귀 99	8542.39.0001	18	운전사			논리													하프 하프 (3)		2.5A				400V (최대)	-	DC (BLDC)	-
SLA7077MW	-	RFQ	1457	산켄	-	튜브	쓸모없는						SLA7077						-	rohs 준수	1 (무제한)		1261-SLA7077MW	쓸모없는		18
SI-3050KD-TL	-	RFQ	5138	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA				15V	결정된		TO-263-5	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	800							600 µA									-	긍정적인		1A								5V	-		1	0.6V @ 1a	75dB (100Hz ~ 120Hz)	현재, 이상 온도
STR-Y6473	-	RFQ	4466	산켄	-	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 115 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-220-7 7 된 리드							TO-220F-7	다운로드	rohs 준수			1261-str-Y6473			300			10V ~ 32V					외딴	예	-	플라이백	16.2 v	-	21kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도, 전압, uvlo	소프트 소프트
SAI01V1	-	RFQ	9789	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	4-SMD,, 날개				33V	결정된		4-SMD	-	rohs 준수	1 (무제한)		SAI01V1 DK	귀 99	8542.39.0001	2,000	뿌리 뿌리					1					책임			60kHz			긍정적인	아니요	500ma								5V	-	7V
str-x6768n	-	RFQ	9811	산켄	STR-X6700	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	to-3p-7 p 팩 팩, 형성 된 리드		STR-X6768					to-3p	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		STR-X6768N DK	귀 99	8542.39.0001	50			9.7V ~ 35V		200 w			외딴	예	800V	플라이백	18.2 v	-	19kHz ~ 25kHz	전류 전류, 제한 하중, 과도한 전압	소프트 소프트
SLA7024M	-	RFQ	2762	산켄	-	튜브	활동적인	-	범용	구멍을 구멍을	18-SSIP 형성 ip		SLA7024	MOSFET			10V ~ 44V	18- 지퍼	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SLA7024M DK	귀 99	8542.39.0001	180	드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지			평행한													하프 하프 (2)		1.5A				10V ~ 44V	단극	-	1, 1/2
str3a453	3.0100	RFQ	6	산켄	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)		str3a453					8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1261-STR3A453	귀 99	8542.39.0001	50			8.5V ~ 32V		53 w			외딴	예	650V	플라이백	15 v	80%	65kHz	전류 전류, 제한 하중, 온도 오버 전압	소프트 소프트
SPI-8003TW	-	RFQ	1458	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 135 ° C (TJ)		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드				38V	조절할 조절할있는		16 마일	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		SPI-8003TW DK	귀 99	8542.39.0001	1,400	뿌리 뿌리					2					책임			200kHz ~ 400kHz			긍정적인	아니요	1.5A								1V	24V	4V
str-x6429a	-	RFQ	4545	산켄	*	대부분	쓸모없는						STR-X6429						-		적용 적용 수 할		str-x6429a dk	쓸모없는	0000.00.0000	500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (524)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²