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MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a08ays35 31.5300
RFQ
ECAD 729 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1004 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR0A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16acys35r 12.5286
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR25H40CDC Everspin Technologies Inc. MR25H40CDC 22.9800
RFQ
ECAD 2112 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM064LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR0A08BCSO35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35R -
RFQ
ECAD 1518 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR25H40DFR Everspin Technologies Inc. MR25H40DFR 11.8769
RFQ
ECAD 2376 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H40DFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR20H40DFR Everspin Technologies Inc. MR20H40DFR -
RFQ
ECAD 1326 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR10Q010VSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSCR 8.3700
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vscrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR25H256AMDF Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDF 11.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1065 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR0A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BMA35 13.0680
RFQ
ECAD 6185 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1030 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR5A16AYS35 Everspin Technologies Inc. Mr5a16ays35 63.9000
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16ays35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
EM032LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1T 42.4700
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. mr3a16auys45r 39.1200
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16auys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 45 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
EM016LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1R 18.6200
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR1A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. mr1a16acys35r 16.0398
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr1a16acys35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR25H128ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDFR 4.0200
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128ACDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
EM008LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1T 20.1000
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. mr4a08buys45 48.3600
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A08BUYS45 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 16mbit 45 ns 숫양 2m x 8 평행한 45ns
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. Mr3a16ays35 24.9685
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16ays35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR10Q010VMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMBR 8.8950
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vmbrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1T 29.4000
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1R 22.4250
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H10CDFR Everspin Technologies Inc. mr25h10cdfr 7.9950
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35r 15.1221
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
RFQ
ECAD 8531 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16AYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16ays35 31.5700
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR1A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. mr1a16avys35r 17.2900
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr1a16avys35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고