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MR0A08BYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a08bys35 17.5300
RFQ
ECAD 769 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1002 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR256A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35 11.7600
RFQ
ECAD 696 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1036 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR2A08ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a08acys35 32.1800
RFQ
ECAD 626 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1003 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
EM008LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1R 20.1000
RFQ
ECAD 9800 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM004LXOBB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXOBBB320CS1T 16.5600
RFQ
ECAD 9928 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXOBBB320CS1T 480 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM004LXQBDH13IS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13IS1T 16.3600
RFQ
ECAD 2114 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXQBDH13IS1T 570 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
MR2A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a16acma35r 23.4479
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR10Q010CMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMBR 7.1939
RFQ
ECAD 9460 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010cmbrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR0A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr0a16ama35r 13.0950
RFQ
ECAD 8922 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
EM064LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM032LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1T 29.4000
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR0A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a16ays35r 11.7705
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mr0a16ays35rev 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR25H128AMDF Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDF 8.4750
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128AMDF 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
MR25H256CDF Everspin Technologies Inc. MR25H256CDF 8.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1038 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR0A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. mr0a08bcys35r 16.2450
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR2A08AYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a08ays35r 24.6450
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16avma35 19.8450
RFQ
ECAD 4123 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AVMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR4A16BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35R 46.8750
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR0D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45R 21.3700
RFQ
ECAD 1811 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 45 ns 숫양 128k x 8 평행한 45ns
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. MR25H10MDF 12.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1042 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR256A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BMA35R 7.1953
RFQ
ECAD 7680 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR5A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35R 60.3421
RFQ
ECAD 1168 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16ACMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR4A16BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BYS35 41.3400
RFQ
ECAD 974 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1B1 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR256A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35R 8.9250
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR3A16AYS35R Everspin Technologies Inc. mr3a16ays35r 23.8203
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16ays35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR0A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16ACMA35R 12.4355
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR25H128ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDF 5.6100
RFQ
ECAD 916 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H128 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H128ACDF 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 128kbit 숫양 16k x 8 SPI -
EM032LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1R 31.4250
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. Mr5a16acys35r 60.3421
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16acys35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35r 15.1221
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고