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통합 통합 (ICS) (238)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MR5A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35 80.3300
RFQ
 ECAD 842 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16acys35 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
EM004LXQBDH13IS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13IS1T 16.3600
RFQ
 ECAD 2114 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXQBDH13IS1T 570 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
MR20H40CDF Everspin Technologies Inc. MR20H40CDF 25.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR20H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1043 귀 99 8542.32.0071 570 50MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM016LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1T 19.9500
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1T 42.0000
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1R 42.0000
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EMD3D256M16G2-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M16G2-150CBS1 55.9878
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 96-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M16G2-150CBS1 190 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 16m x 16 평행한 -
MR4A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35 53.3300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM016LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1R 19.9500
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H10MDC Everspin Technologies Inc. MR25H10MDC 12.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR256A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35 11.7600
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1036 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR0A16AMA35R Everspin Technologies Inc. mr0a16ama35r 13.0950
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
EMD3D256M08G1-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1 55.9878
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 78-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M08G1-150CBS1 190 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 32m x 8 평행한 -
MR25H40MDF Everspin Technologies Inc. MR25H40MDF 36.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR0A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a16avys35 14.3608
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR2A08AMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a08ama35r 24.4950
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR2A08ACYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a08acys35r 23.6208
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
MR4A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35R 44.7600
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR25H10CDC Everspin Technologies Inc. MR25H10CDC 9.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1014 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR10Q010CMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMB 7.6050
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010cmb 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
MR4A16BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BMA35R 35.9400
RFQ
 ECAD 2772 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR0D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45 15.7200
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1031 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 45 ns 숫양 128k x 8 평행한 45ns
EM032LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13IS1R 31.4250
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16acys35r 26.3400
RFQ
 ECAD 6652 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR0A08BYS35 Everspin Technologies Inc. mr0a08bys35 17.5300
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1002 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR2A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16amys35r 31.8450
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
EM064LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1R 44.1750
RFQ
 ECAD 6779 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35 -
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR4A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35R 41.0250
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM004LXOBB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXOBBB320CS1T 16.5600
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM004LXOBBB320CS1T 480 200MHz 비 비 4mbit 7 ns 숫양 512k x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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