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MR25H40MDF Everspin Technologies Inc. MR25H40MDF 36.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BYS35 37.6200
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM016LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1R 18.8860
RFQ
ECAD 3100 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 확인되지 확인되지 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H40DF Everspin Technologies Inc. MR25H40DF 16.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H40DF 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EMD3D256M16G2-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M16G2-150CBS1 55.9878
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 96-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M16G2-150CBS1 190 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 16m x 16 평행한 -
MR10Q010VSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSCR 8.3700
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010vscrtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
EM064LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256AMDF Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDF 11.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1065 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR0A08BCSO35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35R -
RFQ
ECAD 1518 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR25H256MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDCR 11.4450
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR25H10MDC Everspin Technologies Inc. MR25H10MDC 12.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H10 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 1mbit 숫양 128k x 8 SPI -
MR256A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35 -
RFQ
ECAD 1599 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR256A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 256kbit 35 ns 숫양 32k x 8 평행한 35ns
MR2A08AMA35R Everspin Technologies Inc. mr2a08ama35r 24.4950
RFQ
ECAD 1369 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR2A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 4mbit 35 ns 숫양 512k x 8 평행한 35ns
EM032LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13IS1R 31.4250
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQADG13IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR10Q010MB Everspin Technologies Inc. MR10Q010MB 6.7595
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010MB 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
EM064LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1T 42.0000
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXQAB313CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM064LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1R 44.1750
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM064LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 64mbit 숫양 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35R 44.7600
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM008LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1R 15.8270
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1T 22.4250
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR2A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. mr2a16acys35r 26.3400
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR0A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BMA35R 11.8769
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR4A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35R 41.0250
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
MR2A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16amys35 31.5150
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR25H40CDCR Everspin Technologies Inc. MR25H40CDCR 18.9000
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H40 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 큰 깃발 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 4mbit 숫양 512k x 8 SPI -
EM016LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1T 19.9500
RFQ
ECAD 8815 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13CS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A16BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35 55.8900
RFQ
ECAD 850 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1016 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
EM032LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXQAB313CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM016LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1R 19.9500
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQADG13CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR5A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. mr5a16auys45r 77.9850
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr5a16auys45rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 45 ns 숫양 2m x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고