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EM032LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1R 30.9000
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
EM008LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1T 19.0500
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 8-DFN (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQADG13IS1T 귀 99 8542.32.0071 290 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45R 47.0550
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR4A16BUYS45RTR 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 16mbit 45 ns 숫양 1m x 16 평행한 45ns
EMD3D256M08G1-150CBS1R Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1R 54.6364
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MRAM (자기 램) 1.425V ~ 1.575V 78-BGA (10x13) - Rohs3 준수 819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR 2,000 667 MHz 비 비 256mbit 14 ns 숫양 32m x 8 평행한 -
MR0A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35 15.8700
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR0A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1023 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 1mbit 35 ns 숫양 64k x 16 평행한 35ns
MR0A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BSO35 -
RFQ
ECAD 7913 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MR0A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1027 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 1mbit 35 ns 숫양 128k x 8 평행한 35ns
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35 46.7700
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1017 귀 99 8542.32.0071 108 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR25H256ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDF 5.9100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1064 귀 99 8542.32.0071 570 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR2A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. mr2a16acys35 31.7400
RFQ
ECAD 684 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR2A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 4mbit 35 ns 숫양 256k x 16 평행한 35ns
MR5A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35R 64.0950
RFQ
ECAD 6044 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR5A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR5A16AMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 35 ns 숫양 2m x 16 평행한 35ns
EM008LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1T 19.0500
RFQ
ECAD 5387 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR4A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35R 46.9950
RFQ
ECAD 2126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM032LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1T 30.9000
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM032LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 32mbit 숫양 4m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR256D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45R 7.2300
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR256D08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 256kbit 45 ns 숫양 32k x 8 평행한 45ns
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc. mr4a08bys35r 31.6650
RFQ
ECAD 1539 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR4A08 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 35 ns 숫양 2m x 8 평행한 35ns
EM008LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1T 18.7500
RFQ
ECAD 5006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXOAB320CS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H256AMDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 9 ns 숫양 32k x 8 SPI -
EM016LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1T 18.8860
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXQAB313IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR1A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. mr1a16amys35 22.4606
RFQ
ECAD 2309 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMYS35 귀 99 8542.32.0071 135 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. mr1a16ama35 15.3663
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AMA35 귀 99 8542.32.0071 348 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
MR25H256APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256APDFR 7.2219
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN-EP, 작은 플래그 (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR25H256APDFRTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 9 ns 숫양 32k x 8 SPI -
EM016LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1T 22.4250
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM016LXOAB320IS1T 귀 99 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 16mbit 숫양 2m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR25H256MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDCR 11.4450
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-tdfn n 패드 MR25H256 MRAM (자기 램) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 40MHz 비 비 256kbit 숫양 32k x 8 SPI -
MR1A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. mr1a16avma35r 20.2350
RFQ
ECAD 9490 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR1A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR1A16AVMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,000 비 비 2mbit 35 ns 숫양 128k x 16 평행한 35ns
EM008LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1R 19.0500
RFQ
ECAD 2122 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MRAM (자기 램) 1.65V ~ 2V 24-TBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 819-EM008LXQAB313IS1RTR 귀 99 8542.32.0071 4,000 200MHz 비 비 8mbit 숫양 1m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MR3A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. Mr3a16acys35r 31.3650
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 54-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr3a16acys35rtr 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
MR3A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35R 32.1600
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR3A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-MR3A16ACMA35RTR 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 35 ns 숫양 512k x 16 평행한 35ns
EMD4E001G16G2-150CAS2 Everspin Technologies Inc. EMD4E001G16G2-150CAS2 106.4000
RFQ
ECAD 2986 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA EMD4E001 MRAM (자기 램) 1.14V ~ 1.26V 96-BGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 819-EMD4E001G16G2-150CAS2 귀 99 8542.32.0071 190 667 MHz 비 비 1gbit 18 ns 숫양 64m x 16 평행한 15ns
MR4A16BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35 55.8900
RFQ
ECAD 850 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA MR4A16 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-1016 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 16mbit 35 ns 숫양 1m x 16 평행한 35ns
MR10Q010MB Everspin Technologies Inc. MR10Q010MB 6.7595
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga MR10Q010 MRAM (자기 램) 3V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 819-mr10q010MB 귀 99 8542.32.0071 480 40MHz 비 비 1mbit 7 ns 숫양 128k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고