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GS84018CGT-250I GSI Technology Inc. GS84018CGT-250I 11.0200
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS84018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS84018CGT-250I 귀 99 8542.32.0041 72 250MHz 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 256k x 18 평행한 -
GS8256436GB-400I GSI Technology Inc. GS8256436GB-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8256436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GB-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8342T18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342T18BGD-400I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS81282Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-250I 212.4680
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582DT19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582DT19GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 4686 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582DT19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582DT19GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS82564Z36GD-250I GSI Technology Inc. GS82564Z36GD-250I 448.5000
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82564Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z36GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8182Q18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182Q18BGD-300I 27.9022
RFQ
ECAD 7518 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182Q18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182Q18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS81280Z36GT-200IV GSI Technology Inc. GS81280Z36GT-200IV 212.4687
RFQ
ECAD 8854 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z36GT-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 15 200MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81280Z36GT-333I GSI Technology Inc. GS81280Z36GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z36GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8256436GD-400I GSI Technology Inc. GS8256436GD-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8256436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GD-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8642Z36GB-300I GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-300I 193.7800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-300I 귀 99 8542.32.0041 14 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8161Z18DGD-333I GSI Technology Inc. GS8161Z18DGD-333I 38.9500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8161Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8161Z18DGD-333I 3A991B2A 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS81314LQ19GK-933I GSI Technology Inc. GS81314LQ19GK-933I 622.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LQ19 sram-쿼드--, 동기, qdr ive 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LQ19GK-933I 3A991B2B 8542.32.0041 10 933 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8673EQ36BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673EQ36BGK-675I 328.1075
RFQ
ECAD 5061 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS8673EQ sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673EQ36BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS864036GT-300I GSI Technology Inc. GS864036GT-300I 190.6200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS864036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864036GT-300I 3A991B2A 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS880Z18CGT-333I GSI Technology Inc. GS880Z18CGT-333I 36.5900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS880Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS880Z18CGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 512k x 18 평행한 -
GS8342QT19BGD-333I GSI Technology Inc. GS8342QT19BGD-333I 67.2980
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342QT19BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS81302DT38GE-500I GSI Technology Inc. GS81302DT38GE-500I 243.6300
RFQ
ECAD 9248 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302DT38 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302DT38GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81314LD19GK-933I GSI Technology Inc. GS81314LD19GK-933I 622.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LD19 sram-쿼드--, 동기, qdr ive 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LD19GK-933I 3A991B2B 8542.32.0041 10 933 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8256418GD-400I GSI Technology Inc. GS8256418GD-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8256418 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256418GD-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS816018DGT-333I GSI Technology Inc. GS816018DGT-333I 38.9400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS816018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816018DGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS81314LQ36GK-133I GSI Technology Inc. GS81314LQ36GK-133I 619.5000
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LQ36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LQ36GK-133I 3A991B2B 8542.32.0041 10 1.333 GHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8182T37BGD-400I GSI Technology Inc. GS8182T37BGD-400I 38.2644
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182T37 sram- 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182T37BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 18 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8662D20BGD-550I GSI Technology Inc. GS8662D20BGD-550I 167.5000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D20BGD-550I 3A991B2B 8542.32.0041 15 550MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8256418GB-400I GSI Technology Inc. GS8256418GB-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8256418 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256418GB-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS864036GT-250I GSI Technology Inc. GS864036GT-250I 105.7100
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS864036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864036GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342Q36BGD-357I GSI Technology Inc. GS8342Q36BGD-357I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342Q36BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8128018GT-250I GSI Technology Inc. GS8128018GT-250I 212.4687
RFQ
ECAD 3166 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8128018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128018GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 15 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS81302QT19GE-300I GSI Technology Inc. GS81302QT19GE-300I 220.9200
RFQ
ECAD 7161 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302QT19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302QT19GE-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662Q18BGD-357I GSI Technology Inc. GS8662Q18BGD-357I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q18BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고