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GS8160Z36DGT-333IV GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-333IV 54.3200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8160Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8160Z36DGT-333IV 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8673EQ18BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673EQ18BGK-675I 328.1075
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS8673EQ sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673EQ18BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8662D18BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662D18BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D18BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS832018AGT-250I GSI Technology Inc. GS832018AGT-250I 44.5883
RFQ
ECAD 9848 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832018AGT-250I 3A991B2A 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS880Z36CGT-300I GSI Technology Inc. GS880Z36CGT-300I 25.2292
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS880Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS880Z36CGT-300I 3A991B2B 8542.32.0041 36 300MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS8256436GD-250I GSI Technology Inc. GS8256436GD-250I 448.5000
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8256436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8662QT37BGD-333I GSI Technology Inc. GS8662QT37BGD-333I 122.9187
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662QT37BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342T18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8342T18BGD-300I 45.6607
RFQ
ECAD 9077 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 15 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8160Z18DGT-250I GSI Technology Inc. GS8160Z18DGT-250I 22.0481
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8160Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8160Z18DGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS8640Z18GT-250I GSI Technology Inc. GS8640Z18GT-250I 105.7100
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z18GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8662T18BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662T18BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662T18BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8320Z18AGT-333I GSI Technology Inc. GS8320Z18AGT-333I 72.1400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z18AGT-333I 3A991B2A 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS82582QT38GE-450I GSI Technology Inc. GS82582QT38GE-450I 423.0000
RFQ
ECAD 3604 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582QT38 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582QT38GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8342T36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342T36BGD-400I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8342TT38BGD-500I GSI Technology Inc. GS8342TT38BGD-500I 67.2980
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342TT sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342TT38BGD-500I 3A991B2B 8542.32.0041 15 500MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81314LD36GK-133I GSI Technology Inc. GS81314LD36GK-133I 664.5000
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LD36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LD36GK-133I 3A991B2B 8542.32.0041 10 1.333 GHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8342QT37BGD-333I GSI Technology Inc. GS8342QT37BGD-333I 67.2980
RFQ
ECAD 6357 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342QT37BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS82564Z18GD-250I GSI Technology Inc. GS82564Z18GD-250I 448.5000
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82564Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z18GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8642Z36GB-250IV GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-250IV 211.8300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-250IV 귀 99 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342TT20BGD-500I GSI Technology Inc. GS8342TT20BGD-500I 67.2980
RFQ
ECAD 9959 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342TT sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342TT220BGD-500I 3A991B2B 8542.32.0041 15 500MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8662D36BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662D36BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D36BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342DT38BGD-500I GSI Technology Inc. GS8342DT38BGD-500I 67.2980
RFQ
ECAD 6124 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342DT38BGD-500I 3A991B2B 8542.32.0041 15 500MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8161Z36DGD-333I GSI Technology Inc. GS8161Z36DGD-333I 38.9500
RFQ
ECAD 107 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8161Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8161Z36DGD-333I 3A991B2A 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8320Z36AGT-250IV GSI Technology Inc. GS8320Z36AGT-250IV 68.1172
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z36AGT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8321Z36AGD-250IV GSI Technology Inc. GS8321Z36AGD-250IV 77.5411
RFQ
ECAD 9589 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8321Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8321Z36AGD-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8322Z36AGB-333I GSI Technology Inc. GS8322Z36AGB-333I 74.8700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8322Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832Z36AGB-333I 귀 99 8542.32.0041 14 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8642Z36GB-300I GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-300I 193.7800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-300I 귀 99 8542.32.0041 14 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342T18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342T18BGD-400I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS81282Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-250I 212.4680
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582Q36GE-333I GSI Technology Inc. GS82582Q36GE-333I 423.0000
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q36 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q36GE-333I 3A991B2B 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고