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GS82582Q37GE-400I GSI Technology Inc. GS82582Q37GE-400I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q37 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q37GE-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS81302DT38AGD-633I GSI Technology Inc. GS81302DT38AGD-633I 301.4400
RFQ
ECAD 105 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302DT38 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 10 633 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82564Z18GB-400I GSI Technology Inc. GS82564Z18GB-400I 538.5000
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS82564Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z18GB-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS832036AGT-333I GSI Technology Inc. GS832036AGT-333I 72.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81302Q36AGD-300I GSI Technology Inc. GS81302Q36AGD-300I 279.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302Q36 sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302Q36AGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8128218GD-333I GSI Technology Inc. GS8128218GD-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8128218 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128218GD-333I 귀 99 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662R18BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662R18BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662R sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662R18BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS84036CGT-250I GSI Technology Inc. GS84036CGT-250I 11.0200
RFQ
ECAD 31 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS84036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS84036CGT-250I 귀 99 8542.32.0041 72 250MHz 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 128k x 36 평행한 -
GS8342Q18BGD-250I GSI Technology Inc. GS8342Q18BGD-250I 45.6607
RFQ
ECAD 1470 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342Q18BGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 15 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS82583ET18GK-675I GSI Technology Inc. GS82583ET18GK-675I 753.0000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS82583ET18 sram- 동기 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82583ET18GK-675I 귀 99 8542.32.0041 10 675 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8320Z36AGT-333IV GSI Technology Inc. GS8320Z36AGT-333IV 94.4400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z36AGT-333IV 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS82582Q20GE-500I GSI Technology Inc. GS82582Q20GE-500I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q20 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q20GE-500I 귀 99 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS82582QT20GE-450I GSI Technology Inc. GS82582QT20GE-450I 423.0000
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582QT20 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582QT20GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS882Z36CGD-300I GSI Technology Inc. GS882Z36CGD-300I 27.8919
RFQ
ECAD 9456 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS882Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS882Z36CGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 36 300MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS88036CGT-333I GSI Technology Inc. GS88036CGT-333I 36.5900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS88036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS88036CGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS8160Z36DGT-333I GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-333I 38.9400
RFQ
ECAD 67 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8160Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8160Z36DGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8342Q36BGD-250I GSI Technology Inc. GS8342Q36BGD-250I 45.6607
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342Q36BGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 15 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81302Q18GE-300I GSI Technology Inc. GS81302Q18GE-300I 243.5230
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302Q18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302Q18GE-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS81314LT36GK-133I GSI Technology Inc. GS81314LT36GK-133I 664.5000
RFQ
ECAD 8670 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LT36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LT36GK-133I 3A991B2B 8542.32.0041 10 1.333 GHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582T19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582T19GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582T19 sram-쿼드-, 동기, ddr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582T19GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS81302TT37GE-450I GSI Technology Inc. GS81302TT37GE-450I 243.5230
RFQ
ECAD 5983 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302TT37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302TT37GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8642Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-250i 108.1679
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS816218DGD-250I GSI Technology Inc. GS816218DGD-250I 22.3772
RFQ
ECAD 1842 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS816218 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816218DGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS8342Q18BGD-357I GSI Technology Inc. GS8342Q18BGD-357I 70.7400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342Q sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342Q18BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8256436GD-200IV GSI Technology Inc. GS8256436GD-200IV 448.5000
RFQ
ECAD 6526 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8256436 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GD-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8182Q18BGD-333I GSI Technology Inc. GS8182Q18BGD-333I 35.0700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182Q18 sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182Q18BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS816018DGT-250I GSI Technology Inc. GS816018DGT-250I 22.0481
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS816018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816018DGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS82564Z36GD-400I GSI Technology Inc. GS82564Z36GD-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82564Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z36GD-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8662Q37BGD-357I GSI Technology Inc. GS8662Q37BGD-357I 219.5000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q37BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8662Q18BGD-333I GSI Technology Inc. GS8662Q18BGD-333I 146.0353
RFQ
ECAD 6718 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q18BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고