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GS8640Z36GT-300I GSI Technology Inc. GS8640Z36GT-300I 190.6200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z36GT-300I 귀 99 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8673ET18BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673ET18BGK-675I 328.1075
RFQ
ECAD 4125 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS8673ET sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673ET18BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS82582Q19GE-400I GSI Technology Inc. GS82582Q19GE-400I 465.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q19 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q19GE-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS4576C18GM-18I GSI Technology Inc. GS4576C18GM-18I 87.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-LFBGA GS4576C18 lldram2 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS4576C18GM-18I 귀 99 8542.32.0032 126 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 음주 32m x 18 HSTL -
GS8162Z18DGD-250I GSI Technology Inc. GS8162Z18DGD-250I 22.3772
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8162Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8162Z18DGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS81313LD36GK-625I GSI Technology Inc. GS81313LD36GK-625I 424.5000
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LD36 sram-쿼드-, 동기 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LD36GK-625I 3A991B2B 8542.32.0041 10 625 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8182D37BGD-400I GSI Technology Inc. GS8182D37BGD-400I 38.2644
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182D37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182D37BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 18 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8322Z36AGB-250IV GSI Technology Inc. GS8322Z36AGB-250IV 77.5407
RFQ
ECAD 3981 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8322Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8322Z36AGB-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8128218GD-250I GSI Technology Inc. GS8128218GD-250I 212.4680
RFQ
ECAD 7869 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8128218 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128218GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS81282Z36GD-200IV GSI Technology Inc. GS81282Z36GD-200IV 212.4680
RFQ
ECAD 1468 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81282Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GD-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82582DT37GE-450I GSI Technology Inc. GS82582DT37GE-450I 465.0000
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582DT37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582DT37GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8342D36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342D36BGD-400I 69.8600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342D36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8256436GB-250I GSI Technology Inc. GS8256436GB-250I 448.5000
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8256436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256436GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8182R36BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182R36BGD-300I 27.9022
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182R36 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182R36BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8320Z36AGT-250I GSI Technology Inc. GS8320Z36AGT-250I 44.5883
RFQ
ECAD 7682 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z36AGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8342DT37BGD-400I GSI Technology Inc. GS8342DT37BGD-400I 67.2980
RFQ
ECAD 1531 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342DT37BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8642Z36GB-167IV GSI Technology Inc. GS8642Z36GB-167IV 145.7400
RFQ
ECAD 1418 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8642Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z36GB-167IV 3A991B2B 8542.32.0041 14 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8128218GD-333I GSI Technology Inc. GS8128218GD-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8128218 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128218GD-333I 귀 99 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8640Z36GT-250IV GSI Technology Inc. GS8640Z36GT-250IV 184.1656
RFQ
ECAD 4619 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z36GT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS81302Q18AGD-300I GSI Technology Inc. GS81302Q18AGD-300I 279.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302Q18 sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302Q18AGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS832136AGD-333I GSI Technology Inc. GS832136AGD-333I 67.4000
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS832136 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832136AGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81284Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS81284Z36GB-250I 269.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS81284Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81284Z36GB-250I 귀 99 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS832036AGT-250I GSI Technology Inc. GS832036AGT-250I 44.5883
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8342TT37BGD-450I GSI Technology Inc. GS8342TT37BGD-450I 76.4140
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342TT sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342TT37BGD-450I 3A991B2B 8542.32.0041 15 450MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS864036GT-167IV GSI Technology Inc. GS864036GT-167IV 142.3006
RFQ
ECAD 9664 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS864036 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864036GT-167IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS81313LQ18GK-800I GSI Technology Inc. GS81313LQ18GK-800I 511.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LQ18 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LQ18GK-800I 3A991B2B 8542.32.0041 10 800MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8673ED36BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673ED36BGK-675I 328.1075
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA gs8673ed sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673ED36BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8182D36BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182D36BGD-300I 27.9022
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182D36 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182D36BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS8320Z36AGT-333I GSI Technology Inc. GS8320Z36AGT-333I 72.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z36AGT-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8642Z72GC-250I GSI Technology Inc. GS8642Z72GC-250I 118.8214
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 209-lbga GS8642Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 209-BGA (14x22) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8642Z72GC-250I 3A991B2B 8542.32.0041 14 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 1m x 72 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고