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GS8128436GB-250I GSI Technology Inc. GS8128436GB-250I 269.6500
RFQ
ECAD 63 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS8128436 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128436GB-250I 3A991B2A 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8321Z36AGD-333I GSI Technology Inc. GS8321Z36AGD-333I 74.8700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8321Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8321Z36AGD-333I 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS81280Z18GT-333I GSI Technology Inc. GS81280Z18GT-333I 277.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z18GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS82564Z36GB-400I GSI Technology Inc. GS82564Z36GB-400I 538.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS82564Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z36GB-400I 귀 99 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8662R36BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662R36BGD-350I 146.0353
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662R sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662R36BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8160Z36DGT-250IV GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-250IV 42.2306
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8160Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8160Z36DGT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS81282Z36GB-200IV GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-200iv 212.4680
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GB-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81280Z18GT-250I GSI Technology Inc. GS81280Z18GT-250I 212.4687
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS81280Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81280Z18GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 15 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS82583ED18GK-625I GSI Technology Inc. GS82583ED18GK-625I 697.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS82583ed18 sram-쿼드-, 동기 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 10 675 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS82582DT20GE-500I GSI Technology Inc. GS82582DT20GE-500I 448.5000
RFQ
ECAD 6369 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582DT20 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582DT20GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS832036AGT-333IV GSI Technology Inc. GS832036AGT-333IV 94.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS832036 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832036AGT-333IV 귀 99 8542.32.0041 18 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8256418GB-250I GSI Technology Inc. GS8256418GB-250I 448.5000
RFQ
ECAD 3706 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS8256418 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8256418GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8342D18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8342D18BGD-300I 45.6607
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342D18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 15 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS8662QT19BGD-333I GSI Technology Inc. GS8662QT19BGD-333I 122.9187
RFQ
ECAD 1247 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662QT19BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8662Q36BGD-333I GSI Technology Inc. GS8662Q36BGD-333I 146.0353
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q36BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS81302QT37GE-300I GSI Technology Inc. GS81302QT37GE-300I 220.9200
RFQ
ECAD 1841 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302QT37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302QT37GE-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8342D36BGD-300I GSI Technology Inc. GS8342D36BGD-300I 45.6607
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342D36BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 15 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS82582TT20GE-500I GSI Technology Inc. GS82582TT20GE-500I 448.5000
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582TT20 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582TTTTTT2GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8162Z36DGD-250IV GSI Technology Inc. GS8162Z36DGD-250IV 43.5167
RFQ
ECAD 5898 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8162Z36 sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8162Z36DGD-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS82582QT37GE-400I GSI Technology Inc. GS82582QT37GE-400I 465.0000
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582QT37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582QT37GE-400I 3A991B2B 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS864018GT-250I GSI Technology Inc. GS864018GT-250I 105.7100
RFQ
ECAD 9391 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS864018 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864018GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS816036DGT-333I GSI Technology Inc. GS816036DGT-333I 38.9400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS816036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816036DGT-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS81302T18GE-350I GSI Technology Inc. GS81302T18GE-350I 220.9200
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302T18 sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302T18GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS81302TT20GE-500I GSI Technology Inc. GS81302TT20GE-500I 243.5230
RFQ
ECAD 9893 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302TT20 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302TT20GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662D36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662D36BGD-400I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS816118DGD-333I GSI Technology Inc. GS816118DGD-333I 38.9500
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS816118 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816118DGD-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS8342DT20BGD-500I GSI Technology Inc. GS8342DT20BGD-500I 67.2980
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342D sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342DT20BGD-500I 3A991B2B 8542.32.0041 15 500MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
GS88036CGT-250IV GSI Technology Inc. GS88036CGT-250IV 29.6905
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS88036 sram-동기, 표준 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS88036CGT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 66 250MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS4576C36GL-18I GSI Technology Inc. GS4576C36GL-18I 78.4461
RFQ
ECAD 4281 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA GS4576C36 lldram2 1.7V ~ 1.9V 144-Ubga (18.5x11) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS4576C36GL-18I 귀 99 8542.32.0032 126 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 음주 16m x 36 평행한 -
GS8320Z18AGT-250I GSI Technology Inc. GS8320Z18AGT-250I 44.5883
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8320Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8320Z18AGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고