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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
N25Q128A13E1440E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1440E -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
N25Q128A13E1441E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1441E -
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M58WR032KB70ZB6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZB6Z -
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 336 66MHz 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 AIT : B TR -
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 ECAD 6013 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT41K512M16TNA-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 IT : e -
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 ECAD 3011 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 512m x 16 평행한 -
MT42L128M64D2MC-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT42L256M32D2LG-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LG-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA MT42L256M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 WT : b -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT : b -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MTFC64GJVDN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-4M IT -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-IT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-IT -
RFQ
 ECAD 3755 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
NAND256W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A0BN6F TR -
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND256 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
JS28F256M29EWHD Micron Technology Inc. JS28F256M29ewhd -
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 256mbit 110 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 110ns
M25P128-VME6GB Micron Technology Inc. M25P128-VME6GB -
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 320 54 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C2G24 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 8 (NAND), 32m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT : E TR 3.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAMD-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MTFC16GLTDV-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GLTDV-WT TR -
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC2GMXEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmxea-wt tr -
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA mtfc2g 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 MMC -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AAT : p 6.9134
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 7357 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP : B TR -
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10ES : B TR -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X : B TR -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES : B TR -
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. mt29f8g08ababawp-aitx : b tr -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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