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AS7C34098A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS4C32M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD2-25BCN -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1410 귀 99 8542.32.0032 128 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS4C128M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BIN -
RFQ
ECAD 5832 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1087 귀 99 8542.32.0032 264 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C34098A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS6C1616B-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-55BINTR 7.9135
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS6C1616B-55BINTR 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C16M16SA-6TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TANTR 4.9550
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ECAD 4251 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS6C62256A-70PCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70PCN -
RFQ
ECAD 8976 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) AS6C62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS7C256A-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15JCN 2.0847
RFQ
ECAD 7474 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-20TIN 5.2767
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C64M16D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BAN 8.7000
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C256A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10TCNTR 1.9342
RFQ
ECAD 2690 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS7C31025B-12TJCNTR Alliance Memory, Inc. as7c31025b-12tjcntr 2.9779
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C38096A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10BIN 11.6463
RFQ
ECAD 9654 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C38096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1066 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
AS7C1026B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1026b-12jcntr 2.9779
RFQ
ECAD 6458 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS4C16M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6tintr 3.9706
RFQ
ECAD 1944 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C256M8D3-15BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCN -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 90 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS6C3216-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C3216-55BINTR -
RFQ
ECAD 8311 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
AS6C4016A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. as6c4016a-55zintr -
RFQ
ECAD 2687 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
AS4C64M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TIN 4.4414
RFQ
ECAD 8738 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C512M16D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 641 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.275V ~ 1.425V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1487 귀 99 8542.32.0036 180 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 -
AS4C32M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCNTR -
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ECAD 8576 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 5798 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M32MD2-18BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BCN -
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1404 귀 99 8542.32.0036 168 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
AS7C164A-15PINTR Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15PINTR 4.0112
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS7C32096A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-15TIN 5.0129
RFQ
ECAD 2639 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 15 ns SRAM 256k x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BAN -
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1308 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C4M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6tintr -
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS4C1G8D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1485 귀 99 8542.32.0032 220 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
AS4C32M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BIN 4.7491
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1428 귀 99 8542.32.0028 190 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS4C128M8D3LB-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BANTR 6.7500
RFQ
ECAD 5211 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고