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AS25F1128MQ-70SIN Alliance Memory, Inc. AS25F1128MQ-70SIN 2.8600
RFQ
ECAD 288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS25F1128MQ-70SIN 3A991B1A 8542.32.0071 300 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 150µs, 5ms
AS7C1026B-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15JINTR 3.0606
RFQ
ECAD 8114 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1388 귀 99 8542.32.0032 209 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BINTR -
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J Alliance Memory, Inc. MT48LC2M32B2TG-6A IT : J. -
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ECAD 1261 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
AS4C128M16D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 4410 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1375 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS6C1616A-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616A-55BINTR -
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-FPBGA (10x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C16M16MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MSA-6BINTR 5.7090
RFQ
ECAD 9259 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA AS4C16 sdram- 모바일 sdram 1.7V ~ 1.95V 54-FBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
AS6C1008-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55BINTR 3.1099
RFQ
ECAD 7216 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
AS7C1025B-10TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-10TJCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS4C512M8D3LB-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BIN -
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D3LB-10BIN 쓸모없는 220 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C31026B-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12tin 3.1724
RFQ
ECAD 8675 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS7C31026B-12tin 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS7C34098A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20TIN 5.2767
RFQ
ECAD 5723 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS4C4M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5tintr 2.7298
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 4m x 16 평행한 15ns
AS4C64M8D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BINTR 4.1866
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS7C4096A-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15JIN 5.0128
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D2A-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BAN 5.9868
RFQ
ECAD 9453 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C16M16SB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6BIN 4.9941
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M16SB-6BIN 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 lvttl 12ns
AS7C32098A-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c32098a-12tintr 4.4831
RFQ
ECAD 3874 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 128k x 16 평행한 12ns
AS4C2M32D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5BIN -
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-bga - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1320 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS4C4M32SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TIN 6.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1293 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS7C3256A-10JIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10JIN 2.2660
RFQ
ECAD 6900 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS1C512K16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C512K16PL-70BIN 3.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS1C512 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-FBGA (6x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1473 3A991B2A 8542.32.0041 364 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns psram 512k x 16 평행한 70ns
AS6C8016-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55Zintr 6.0896
RFQ
ECAD 2037 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C8016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS4C64M16D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BCN 6.9500
RFQ
ECAD 301 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C31026B-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12JIN 3.2631
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS6C1616-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BIN -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1131 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
AS4C64M16D1A-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6TCNTR -
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
N25Q032A13ESC40F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13ESC40F 1.6200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q032A13ESC40FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 5ms
AS7C1026C-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026C-15JIN -
RFQ
ECAD 4088 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고