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AS6C62256-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SIN 3.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1035 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BINTR 5.7000
RFQ
ECAD 9716 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BANTR -
RFQ
ECAD 5009 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5tin 3.7162
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1282 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
M29W800FB70N3F Alliance Memory, Inc. M29W800FB70N3F 2.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 블록 부트 3V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 512k x 16, 1m x 8 CFI 70ns
AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-6TIN 16.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 12ns
AS7C1024B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15JCN 3.1724
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C128M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCN -
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1085 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3A-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BANTR -
RFQ
ECAD 1039 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D4-83BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-83BINTR 8.1795
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16D4-83BINTR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
AS4C1G8D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BINTR 22.0115
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C1G8D3LA-10BINTR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BINTR 5.5500
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C4096A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20JCNTR 5.0090
RFQ
ECAD 9288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C8M32S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-7TCNTR 5.2696
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
U6264BS2K07LLG1 Alliance Memory, Inc. U6264BS2K07LLG1 -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) U6264 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 64kbit 70 ns SRAM 8k x 8 평행한 70ns
AS4C64M16MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-5BIN -
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 300 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C1025B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1025b-12jcntr 3.1324
RFQ
ECAD 7631 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C64M8SC-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8SC-7TIN 17.1100
RFQ
ECAD 557 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1469 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 17 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS4C512M8D3LB-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCN -
RFQ
ECAD 2268 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D3LB-10BCN 쓸모없는 220 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C34098A-8TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-8tin 4.6903
RFQ
ECAD 5348 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 256k x 16 평행한 8ns
AS4C512M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BINTR -
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BAN -
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1088 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C4M32D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1-5BCN -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C4M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-bga - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1323 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS7C4096A-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20JCN 5.2767
RFQ
ECAD 2789 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS1C1M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C1M16PL-70BIN 4.2400
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS1C1M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-FBGA (6x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1475 3A991B2A 8542.32.0041 364 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5tintr 3.0606
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M32B2TG-6A:L Alliance Memory, Inc. MT48LC4M32B2TG-6A : L. -
RFQ
ECAD 8955 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1363 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS4C128M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LA-12BCN 6.7600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C256A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c256a-10tintr 2.1865
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS6C3216A-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55TIN 23.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1414 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고