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통합 통합 (ICS) (1624)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
AS7C256A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c256a-10tintr 2.1865
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C256M16D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BANTR -
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C34096A-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12JCN 6.2900
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1060 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C128M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BINTR 5.7000
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5tin 3.7162
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1282 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS6C62256-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SIN 3.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1035 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C256M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1102 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C513B-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15TCN 4.1694
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C32M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BCN -
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 348 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
PC28F640P33BF60A Alliance Memory, Inc. PC28F640P33BF60A 5.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P33BF60A 3A991B1A 8542.32.0071 300 52MHz 비 비 64mbit 60 ns 플래시 4m x 16 평행한 60ns
AS7C3513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C16M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BIN 4.8100
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-2374 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS7C4096A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15JINTR 4.7627
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS4C8M32SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32SA-6BIN 9.3400
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 190 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 2ns
AS4C64M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BINTR 4.2627
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TA) 표면 표면 78-VFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 64m x 8 평행한
AS4C512M8D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BIN -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C2M32D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5TCN -
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1317 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS7C316096C-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10BIN 18.7500
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C316096 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1134 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
AS4C16M16S-6TANTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6TANTR -
RFQ
 ECAD 4420 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C34098A-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c34098a-12tintr 4.5617
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS4C64M16D1A-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6tintr -
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BINTR -
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D1-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D1-6TINTR -
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C128 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS6C1008-55PIN Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55PIN 4.3500
RFQ
 ECAD 745 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 32-DIP (0.600 ", 15.24mm) AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 13 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
AS7C31024B-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 7412 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C34098A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12JINTR 4.7627
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS7C4098A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-15TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS6C62256-55STCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STCN 2.5379
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS7C4098A-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-15TCN 5.0129
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR Alliance Memory, Inc. MT48LC64M8A2P-75 : IT : CTR -
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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