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AS8C801800-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C801800-QC150N 8.4670
RFQ
ECAD 2657 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C801800 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.8 ns SRAM 512k x 18 평행한 6.7ns
M29F400FT5AN6E2 Alliance Memory, Inc. M29F400FT5AN6E2 4.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M29F400FT5AN6E2 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
AS7C1025B-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-15JINTR 3.2194
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
PC28F640P30BF65B Alliance Memory, Inc. PC28F640P30BF65B 8.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F640P30BF65BTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
AS7C3513B-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-10JCN 4.1694
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 512kbit 10 ns SRAM 32k x 16 평행한 10ns
M25PE10-VMN6P Alliance Memory, Inc. M25PE10-VMN6P 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 75MHz 비 비 1mbit 6 ns 플래시 128k x 8 SPI 3ms
AS7C4096A-12TINTR Alliance Memory, Inc. as7c4096a-12tintr 4.5617
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
N25Q032A13EF4A0F Alliance Memory, Inc. N25Q032A13EF4A0F 2.0800
RFQ
ECAD 461 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-N25Q032A13EF4A0FTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 5ms
AS4C512M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BIN -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1446 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M32MD2-18BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BCNTR -
RFQ
ECAD 1888 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
AS4C128M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BAN -
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1082 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C31024B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12JCN 4.0100
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1051 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C128MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128MD2-25BCNTR -
RFQ
ECAD 6251 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BINTR -
RFQ
ECAD 1070 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5tintr 3.0606
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
AS7C32098A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-20TCNTR 4.4831
RFQ
ECAD 9914 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 20 ns SRAM 128k x 16 평행한 20ns
M29W800FB70N3F Alliance Memory, Inc. M29W800FB70N3F 2.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 블록 부트 3V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 512k x 16, 1m x 8 CFI 70ns
AS4C2M32S-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-7BCN 4.2400
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2TG-6A : GTR -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C256A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c256a-10tintr 2.1865
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C256M16D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BANTR -
RFQ
ECAD 5009 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C34096A-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12JCN 6.2900
RFQ
ECAD 958 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1060 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C128M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BINTR 5.7000
RFQ
ECAD 9716 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5tin 3.7162
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1282 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS6C62256-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SIN 3.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1035 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C256M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3L-12BCN -
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1102 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C513B-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C513B-15TCN 4.1694
RFQ
ECAD 1170 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C513 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C32M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BCN -
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 348 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS7C3513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C3513 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
AS4C16M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BIN 4.8100
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-2374 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고