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AS4C64M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BIN 6.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1416 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C4M16S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BIN -
RFQ
ECAD 2804 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1077 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C256M8D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BCNTR -
RFQ
ECAD 9589 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-20TCN 5.2767
RFQ
ECAD 8229 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C128M16D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LA-12BIN -
RFQ
ECAD 9778 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1376 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C31024B-15TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-15TJCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS7C1024B-12TJIN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12TJIN -
RFQ
ECAD 9811 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS6C4016A-45ZINTR Alliance Memory, Inc. as6c4016a-45zintr -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
AS4C2M32D1A-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1A-5BINTR 3.4742
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS6C62256A-70SIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SIN -
RFQ
ECAD 3963 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS6C1608-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1608-55BINTR -
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C1608 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8 평행한 55ns
AS7C31026B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-15JCN 3.1724
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 확인되지 확인되지 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
AS7C3256A-10JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c3256a-10jcntr 2.0183
RFQ
ECAD 4760 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C128M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BCN -
RFQ
ECAD 2847 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 264 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16MD1-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCN -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C16M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BCN 6.2900
RFQ
ECAD 320 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 90-VFBGA AS4C16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1120 귀 99 8542.32.0028 160 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
AS4C64M16MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2A-25BCN -
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 128 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C4M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5tin 2.9005
RFQ
ECAD 5665 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1291 3A991B2A 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 4m x 16 평행한 15ns
AS7C1026B-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20TCN 3.4443
RFQ
ECAD 1895 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
AS7C34096A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-12tin 5.8900
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS4C16M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7TCN -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1003 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
AS4C512M32MD3-15BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M32MD3-15BCNTR -
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA AS4C512 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 178-FBGA (11x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 15ns
AS7C34098A-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TCN 4.6939
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS7C4096A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12TCN 6.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1071 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns
AS8C801825A-QC75N Alliance Memory, Inc. AS8C801825A-QC75N 8.4670
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C801825 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 100MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 10ns
AS6C3216-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C3216-55TINTR -
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C3216 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
AS4C8M32MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSA-6BINTR 5.7851
RFQ
ECAD 6527 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C8M32 sdram- 모바일 1.14V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
AS6C62256A-70SCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SCN -
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
AS7C31026B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12JCN 3.1724
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1053 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고