전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C256M8D3L-12BANTR | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C8M16SA-6BIN | 5.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | AS4C8M16 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1264 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | AS7C513B-15JCN | 4.1694 | ![]() | 2004 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C513 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 16 | 휘발성 휘발성 | 512kbit | 15 ns | SRAM | 32k x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | AS6C62256-55PCNTR | 2.8659 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) | sram- 비동기 | 2.7V ~ 5.5V | 28-PDIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 1450-AS6C62256-55PCNTR | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 55ns | ||||||||
![]() | AS4C128M16D3LC-12BCNTR | 6.6224 | ![]() | 5376 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-AS4C128M16D3LC-12BCNTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | AS1C1M16P-70BIN | 4.2400 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | AS1C1M16 | psram (의사 sram) | 2.6V ~ 3.3V | 48-FBGA (6x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1476 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | AS4C128M16D3LC-12BIN | 9.1400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-AS4C128M16D3LC-12BIN | 귀 99 | 8542.32.0036 | 198 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 15ns | |||
![]() | AS4C512M8D3-12BIN | - | ![]() | 9561 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | AS4C512 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1107 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 220 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | AS4C256M8D2A-25BCN | 14.1900 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | AS4C256 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-AS4C256M8D2A-25BCN | 귀 99 | 8542.32.0036 | 264 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | SSTL_18 | 15ns | ||
![]() | AS6C2008-55SINTR | 3.1434 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) | AS6C2008 | sram- 비동기 | 확인되지 확인되지 | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 55 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | AS4C512M8D3LB-12BCNTR | - | ![]() | 2384 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | AS4C512 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C256M8D3L-12BINTR | - | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C32M16MD1-6BCN | - | ![]() | 2380 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) | 표면 표면 | 60-TFBGA | AS4C2M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS5F34G04SNDB-08LIN | 9.2600 | ![]() | 352 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-WLGA | 플래시 -Nand (SLC) | 3V ~ 3.6V | 8-LGA (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1450-AS5F34G04SNDB-08LIN | 352 | 120MHz | 비 비 | 2gbit | 7.5 ns | 플래시 | 512m x 4 | spi-쿼드 i/o | 700µs | ||||||
AS7C32096A-20TIN | 5.0129 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C32096 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 20 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 20ns | |||||
![]() | AS7C4098A-15JCN | 6.2900 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C4098 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 15 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
AS7C32098A-15TCN | 5.0129 | ![]() | 6735 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C32098 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 15 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 15ns | |||||
![]() | JS28F128P33BF70A | - | ![]() | 4188 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F128P33 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-JS28F128P33BF70A | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 52MHz | 비 비 | 128mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | AS4C32M16SB-7BCN | - | ![]() | 7858 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | AS4C32 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-FBGA (8x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-AS4C32M16SB-7BCN | 귀 99 | 8542.32.0028 | 348 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 6 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | AS7C256A-12JIN | 2.3566 | ![]() | 8205 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | AS7C256 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 25 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 12ns | ||||
as7c34096a-15tintr | 4.5617 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C34096 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 15ns | |||||
![]() | AS4C256M8D3LB-12BINTR | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
as7c31025b-12tjintr | 3.0606 | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | AS7C31025 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 12 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 12ns | |||||
AS7C31025B-15TJCNTR | 2.9779 | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | AS7C31025 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 15 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 15ns | |||||
AS4C128M16D3LA-12BIN | - | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1376 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 209 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C16M32MD1-5BCN | 6.2900 | ![]() | 320 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) | 표면 표면 | 90-VFBGA | AS4C16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1120 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 160 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
AS4C64M16D3A-12BCNTR | - | ![]() | 4766 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C64 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | AS4C32M16D1A-5tin | 5.2500 | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS4C32 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1287 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
as7c32096a-10tintr | 4.4831 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C32096 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 10ns | |||||
![]() | AS6C1008-55SINL | 3.4371 | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) | AS6C1008 | sram- 비동기 | 2.7V ~ 5.5V | 32-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 72 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 55ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고