전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C4M32S-6BCNTR | 3.6783 | ![]() | 7005 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C4M32S-6BCNTR | 2,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | lvttl | - | ||||||
![]() | AS4C64M8SD-7TCN | 13.8800 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS4C64 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-AS4C64M8SD-7TCN | 귀 99 | 8542.32.0036 | 108 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 64m x 8 | lvttl | 15ns | |
![]() | M29W640GB7AN6E | 2.6831 | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | - | 3 (168 시간) | 1450-M29W640GB7AN6E | 64 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | CFI | 70ns | |||||||
![]() | MT48LC16M16A2F4-6A : GTR | - | ![]() | 5432 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-LFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | AS6C1008-55SINL | 3.4371 | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) | AS6C1008 | sram- 비동기 | 2.7V ~ 5.5V | 32-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 72 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 55ns | |||
AS4C256M16D3LB-12BIN | - | ![]() | 6410 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (13.5x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 180 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | N25Q064A11ESEA0F | 1.7500 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | N25Q064A11 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-n25q064a11esea0ftr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 5ms | ||
![]() | AS4C32M16D2A-25BAN | 4.3507 | ![]() | 5257 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | AS4C32 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | AS1C2M16P-70BIN | 4.5800 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | AS1C2M16 | psram (의사 sram) | 2.6V ~ 3.3V | 48-FBGA (6x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1477 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | AS1C1M16P-70BINTR | 2.8354 | ![]() | 2396 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | psram (의사 sram) | 2.6V ~ 3.3V | 48-FPBGA (6x7) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 1450-AS1C1M16P-70BINTR | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||||||
![]() | AS4C2M32D1-5BCN | - | ![]() | 1232 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | AS4C2M32 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 144-bga | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1319 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 189 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 700 PS | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 15ns | |
![]() | AS4C512M32MD4V-053BIN | 13.4000 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-FBGA (10x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C512M32MD4V-053BIN | 귀 99 | 8542.32.0036 | 120 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 3.5 ns | 음주 | 512m x 16 | lvstle_06 | 18ns | |||
![]() | AS7C31025C-12JIN | - | ![]() | 7284 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C31025 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 25 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 12 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 12ns | |||
![]() | AS6C4016B-45ZIN | 5.1600 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 80 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | sram- 비동기 | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1450-AS6C4016B-45ZIN | 귀 99 | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 45ns | ||||
![]() | AS4C128M16D2A-25BANTR | 11.7040 | ![]() | 6879 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C128M16D2A-25BANTR | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||
AS6C8008A-45ZINTR | - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS6C8008 | sram- 비동기 | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 45ns | ||||
M29F160FB5AN6F2 | 4.2900 | ![]() | 469 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F160 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 16mbit | 55 ns | 플래시 | 2m x 8, 1m x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | AS4C1G8D4-75BINTR | 10.8395 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x12) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C1G8D4-75BINTR | 2,500 | 1.333 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 18 ns | 음주 | 1g x 8 | 현물 현물 지불 | 15ns | ||||||
AS4C64M16D3LA-12BAN | - | ![]() | 3512 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C64 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 209 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C1G16D4-062BCN | 23.8100 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C1G16D4-062BCN | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS7C325632-10BINTR | 15.3750 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | AS7C325632 | sram- 비동기 | 2.7V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | as7c3256a-15tintr | 1.9342 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) | AS7C3256 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 28-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | AS4C32M16MSB-6BIN | 7.5000 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | sdram- 모바일 sdram | 1.7V ~ 1.95V | 54-FBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1450-AS4C32M16MSB-6BIN | 319 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.5 ns | 음주 | 32m x 16 | LVCMOS | 15ns | |||||
AS4C256M16D3LB-10BCN | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (13.5x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1491 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 180 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | AS4C256M8D3L-12BIN | - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | AS4C256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1450-1103 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | AS4C512M8D3LB-12BCN | - | ![]() | 9555 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | AS4C512 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 220 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | AS4C128M8D3LB-12BCNTR | 4.9478 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-VFBGA | AS4C128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | PC28F640P30TF65B | 6.1500 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Axcell ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | - | 3 (168 시간) | 1450-PC28F640P30TF65BTR | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 65 ns | 플래시 | 4m x 16 | CFI | 65ns | ||||||
![]() | AS4C4M32D1A-5BINTR | 3.9325 | ![]() | 5735 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LFBGA | AS4C4M32 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 144-LFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | AS4C16M32SC-7tintr | 12.9750 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS4C16 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 17 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고