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PC28F128P30BF65A Alliance Memory, Inc. PC28F128P30BF65A 6.9000
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ECAD 6573 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F128P30BF65A 96 52MHz 비 비 128mbit 65 ns 플래시 8m x 16 CFI 65ns
U6264BDC07LLG1 Alliance Memory, Inc. U6264BDC07LLG1 -
RFQ
ECAD 1991 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) U6264 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 64kbit 70 ns SRAM 8k x 8 평행한 70ns
AS4C32M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BINTR 3.5191
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ECAD 6928 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BIN 7.7500
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ECAD 264 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3A-12BIN -
RFQ
ECAD 3089 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1380 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BAN -
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ECAD 7720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1311 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C64M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCNTR 3.6397
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ECAD 1837 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
AS6C6264-55PINTR Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55PINTR 3.1757
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ECAD 5809 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 1 (무제한) 1450-AS6C6264-55PINTR 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
AS6C4008-55STINR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55STINR -
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ECAD 8847 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3L-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BANTR -
RFQ
ECAD 2761 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS6C8016-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55TINTR 6.3941
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ECAD 4906 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C8016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS7C31024B-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12TCN 3.7800
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ECAD 156 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1052 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS6C1008-55SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55SINTR 2.3547
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ECAD 1743 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
AS7C31026B-20JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c31026b-20jcntr 3.3915
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ECAD 1586 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
ASFC8G31M-51BIN Alliance Memory, Inc. ASFC8G31M-51BIN 9.9900
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ECAD 160 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA AS8C803625 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-FBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-ASFC8G31M-51BIN 3A991B1A 8542.32.0071 160 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
AS4C128M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BINTR -
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5TCN -
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ECAD 6503 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1006 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D1-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TCNTR 19.8000
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ECAD 6544 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C316096B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316096B-10 TINTR 18.6750
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ECAD 6401 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C316096 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
AS4C256M8D3LA-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BANTR -
RFQ
ECAD 2307 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C128M8D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BCN -
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1089 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D3LA-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BINTR -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C4098A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-12TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
AS4C32M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5TIN -
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS29CF160T-55TIN Alliance Memory, Inc. AS29CF160T-55TIN 8.0302
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS29CF160 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS29CF160T-55TIN 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 55 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns
AS4C256M16D3C-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-10BCN 11.2300
RFQ
ECAD 164 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3C-10BCN 귀 99 8542.32.0036 209 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TIN 5.0129
RFQ
ECAD 1843 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS7C256A-10JIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10JIN 2.3566
RFQ
ECAD 7996 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C32M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TCN 4.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1286 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C4096A-20TINTR Alliance Memory, Inc. as7c4096a-20tintr 4.7977
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고