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통합 통합 (ICS) (1624)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
AS4C128M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BINTR -
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C31024B-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-20TCN 3.4443
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS6C8008-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008-55BIN 8.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C8008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 1m x 8 평행한 55ns
PF48F4400P0VBQEK Alliance Memory, Inc. PF48F4400P0VBQEK 9.3750
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 48F4400p0 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-lbga (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PF48F4400P0VBQQKTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 CFI -
AS7C3256A-20TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20TINTR 2.2706
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS8C803600-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C803600-QC150N 8.4670
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C803600 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.8 ns SRAM 256k x 36 평행한 6.7ns
PC28F512P30TFB Alliance Memory, Inc. PC28F512P30TFB 7.6500
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Axcell ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-lbga (11x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F512P30TFBTR 2,000 40MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 CFI -
AS4C256M16D3C-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BCN 10.5100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3C-12BCN 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16D2C-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2C-25BIN 4.1200
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1450-AS4C32M16D2C-25BIN 귀 99 8542.32.0028 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 0.4 ns 음주 32m x 16 SSTL_18 15ns
AS4C16M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5TCN 3.6600
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1281 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS7C32096A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-10TIN 6.2900
RFQ
 ECAD 1463 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BINTR 3.1918
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
PC28F256P30TFE Alliance Memory, Inc. PC28F256P30TFE 6.9000
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Strataflash ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F256P30TFE 96 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 CFI -
AS8C403600-QC150N Alliance Memory, Inc. AS8C403600-QC150N 4.3972
RFQ
 ECAD 3440 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp AS8C403600 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 100 150MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.8 ns SRAM 128k x 36 평행한 6.7ns
AS4C8M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7BCNTR 3.4484
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
AS7C3256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-15TIN 2.1753
RFQ
 ECAD 5440 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C3256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS7C31024B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-12JCNTR 2.9779
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C16M32MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSB-6BIN 8.2800
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA AS4C16 sdram 1.7V ~ 1.95V 90-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M32MSB-6BIN 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCN 4.9200
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1093 귀 99 8542.32.0024 240 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS7C164A-15PIN Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15PIN 4.3973
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 15 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS7C4098A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20TCNTR 4.7977
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS7C34098A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10TCN 5.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1063 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
AS6C1016-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C1016-55ZIN 3.6600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C1016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1021 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
M29W640GB6AZA6E Alliance Memory, Inc. M29W640GB6AZA6E 3.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-M29W640GB6AZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 CFI 60ns
AS4C8M16S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BIN -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1079 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
AS7C1025B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-12JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1045 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
MT48LC32M16A2P-75 IT:C Alliance Memory, Inc. MT48LC32MM16A2P-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1138 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BIN 4.3500
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1322 귀 99 8542.32.0002 240 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
AS7C31024B-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-10TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS6C1008-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55TINTR 2.4388
RFQ
 ECAD 4203 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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